• 1.结型场效应管结构和工作原理解说 如图10-3所示是N沟道结型场效应管的结构及工作原理示意图。DS2900-3-003从图10-14中可以看出,它使用一块N型半导体,在它的上、下各引出一个电极,分别称为漏极D和源极S。在N型半导体两侧,各设一小块P型半导体,将它们连起来作为栅极G。这样,G与S之间、G与D之间各出现了一个PN结。 图10-3 N沟道结型场效应管的结构及工作原理示意图如表10-5所示是三种直流电压偏置情况分析。 表10-5三种直流电压偏置情况分析  2.绝缘栅场效应管结构和工作原理解说 如
  • 1.结型场效应管结构和工作原理解说 如图10-3所示是N沟道结型场效应管的结构及工作原理示意图。DS2900-3-003从图10-14中可以看出,它使用一块N型半导体,在它的上、下各引出一个电极,分别称为漏极D和源极S。在N型半导体两侧,各设一小块P型半导体,将它们连起来作为栅极G。这样,G与S之间、G与D之间各出现了一个PN结。 图10-3 N沟道结型场效应管的结构及工作原理示意图如表10-5所示是三种直流电压偏置情况分析。 表10-5三种直流电压偏置情况分析 2.绝缘栅场效应管结构和工作原理解说 如 >>
  • 来源:www.51dzw.com/embed/embed_88768.html
  • 晶体二极管,简称二极管。是固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有单方向导电性。随着半导体材料和工艺技术的发展,利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构,研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二极管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。  二极管(图1) 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电常当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场
  • 晶体二极管,简称二极管。是固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有单方向导电性。随着半导体材料和工艺技术的发展,利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构,研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二极管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。 二极管(图1) 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电常当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场 >>
  • 来源:www.liuti.cn/news/145637.html
  • C总线接口 图 6 显示了最终的电路情况。至少使用 0.1Μf 电容器来对芯片电源进行缓冲。通过 1k 到 10k电阻器,始终将激活输入端连接至各个电源轨。这些电阻器可控制进入电源线路的浪涌瞬态所引起的芯片突入电流。利用滤波器电容(此处为 220pF)来抑制敏感的 CMOS 输入噪声,是一种较好的模拟设计方法。 没有隔离电源,隔离设计便不完整。图 7 显示了一种低成本、隔离式 DC/DC 转换器设计,用于替代昂贵的集成 DC/DC 模块。主副电源均可以在 3.
  • C总线接口 图 6 显示了最终的电路情况。至少使用 0.1Μf 电容器来对芯片电源进行缓冲。通过 1k 到 10k电阻器,始终将激活输入端连接至各个电源轨。这些电阻器可控制进入电源线路的浪涌瞬态所引起的芯片突入电流。利用滤波器电容(此处为 220pF)来抑制敏感的 CMOS 输入噪声,是一种较好的模拟设计方法。 没有隔离电源,隔离设计便不完整。图 7 显示了一种低成本、隔离式 DC/DC 转换器设计,用于替代昂贵的集成 DC/DC 模块。主副电源均可以在 3. >>
  • 来源:www.deyisupport.com/blog/b/analogwire/archive/2013/11/27/i2c.aspx
  •   1 前言   随着电力技术的高速发展和供电规模的日益扩大, 系统的网络结构和运行方式日趋复杂, 对电源的可靠性、安全性及供电质量也都提出了更高的要求,相应地对系统设备的操作简便性和安全性以及可靠性也提出了新的要求。低压断路器作为电力供配电系统中广泛使用的主要控制电器, 除了要能正常分合相关系统额定电流外, 还要在相关系统故障时能快速有选择性地可靠分断相关系统短路故障电流,且不能出现越级跳闸或拒动现象。   特别是随着电力系统控制方式数字化进程的发展应用以及电力系统综合自动化的广泛应用, 对系统可视化、
  •   1 前言   随着电力技术的高速发展和供电规模的日益扩大, 系统的网络结构和运行方式日趋复杂, 对电源的可靠性、安全性及供电质量也都提出了更高的要求,相应地对系统设备的操作简便性和安全性以及可靠性也提出了新的要求。低压断路器作为电力供配电系统中广泛使用的主要控制电器, 除了要能正常分合相关系统额定电流外, 还要在相关系统故障时能快速有选择性地可靠分断相关系统短路故障电流,且不能出现越级跳闸或拒动现象。   特别是随着电力系统控制方式数字化进程的发展应用以及电力系统综合自动化的广泛应用, 对系统可视化、 >>
  • 来源:www.cnelc.com/Article/2/AD100079488_1.html
  • 常规的正激电路,初级侧串了一个1:50的互感器,互感器1匝侧电感值是1.2uH,主变压器器匝比是3:2,主变压器初级绕组电感值是36uH。 我想计算互感器1圈初级绕组两端的电压值。 我套用了U=L*di/dt,仿真得到了di=2A,dt=0.6us,L=1.2uH,计算得U=4V。仿真得到互感器初级两端压降是0.
  • 常规的正激电路,初级侧串了一个1:50的互感器,互感器1匝侧电感值是1.2uH,主变压器器匝比是3:2,主变压器初级绕组电感值是36uH。 我想计算互感器1圈初级绕组两端的电压值。 我套用了U=L*di/dt,仿真得到了di=2A,dt=0.6us,L=1.2uH,计算得U=4V。仿真得到互感器初级两端压降是0. >>
  • 来源:bbs.21dianyuan.com/thread-305878-1-1.html
  •   1 引言——照明技术现状   越来越多的照明控制方案出现在现在的照明工业中,因此电源的设计、灯的驱动电路、安全保护、管理接口等各方面都变得愈加灵活。目前,照明技术主要包括主流的荧光灯、LED灯和HID技术等,其广泛应用使电源驱动的拓扑结构差异非常大,从常见的Flyback、Buck、Boost以及延伸出来的其他结构都在被大量使用,产品设计是否采用先进的数字节能控制设计,是否支持flyback、Buck、Boost等灵活的拓扑结构应用,研发周期和投放市场时间的长短将决定产品的成败
  •   1 引言——照明技术现状   越来越多的照明控制方案出现在现在的照明工业中,因此电源的设计、灯的驱动电路、安全保护、管理接口等各方面都变得愈加灵活。目前,照明技术主要包括主流的荧光灯、LED灯和HID技术等,其广泛应用使电源驱动的拓扑结构差异非常大,从常见的Flyback、Buck、Boost以及延伸出来的其他结构都在被大量使用,产品设计是否采用先进的数字节能控制设计,是否支持flyback、Buck、Boost等灵活的拓扑结构应用,研发周期和投放市场时间的长短将决定产品的成败 >>
  • 来源:www.laogu.com/cms/xw_159124.htm
  • 电路板维修基础知识 一、电容 1、电容在电路中一般用C加数字表示(如C25表示编号为25的电容) 电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2f c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 2、识别方法 电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标
  • 电路板维修基础知识 一、电容 1、电容在电路中一般用C加数字表示(如C25表示编号为25的电容) 电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2f c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 2、识别方法 电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标 >>
  • 来源:www.afinance.cn/qygq/15740521.html
  • 1953年,Deschamps首先提出了微带辐射器的概念。但是,直到20世纪70年代初,由于微波集成技术的发展以及各种低耗介质材料的出现,微带天线的制作才得到了工艺保证。而空间技术的发展,又迫切需要低剖面的天线。这样微带天线的研究引起了广泛的重视,各种新形式和新性能的微带天线不断涌现。如今,微带天线已大量地应用于卫星通信、雷达、遥感、导弹、环境测试、便携式无线设备等领域。 微带天线是在一种薄的介质板上一面附上某种金属层作为接地板,另一面用蚀刻的方法可制成某种需要的形状,利用微带线或者同轴线等馈电方式馈电的
  • 1953年,Deschamps首先提出了微带辐射器的概念。但是,直到20世纪70年代初,由于微波集成技术的发展以及各种低耗介质材料的出现,微带天线的制作才得到了工艺保证。而空间技术的发展,又迫切需要低剖面的天线。这样微带天线的研究引起了广泛的重视,各种新形式和新性能的微带天线不断涌现。如今,微带天线已大量地应用于卫星通信、雷达、遥感、导弹、环境测试、便携式无线设备等领域。 微带天线是在一种薄的介质板上一面附上某种金属层作为接地板,另一面用蚀刻的方法可制成某种需要的形状,利用微带线或者同轴线等馈电方式馈电的 >>
  • 来源:kb.findrf.com/author/manman/page/42/
  • 图二、由二极管、电阻、晶体管组成的与门、或非门、或门电路图 1、图二是从图一中截取的部分电路,其D3、D4与R1组成2输入正与门电路(粉色虚线框),其输入端A为G1管集电极,B为PLC输出端Q1.0,因A、B分别为G1管反相器的输出与输入端,故A、B二点的电压总是反相的(如B为高,则A为低,如B为低,则A为高),在正常情况下,A、B二点总有一个为0电压,故使与门输出点m的电压恒=0。 2、D5、D6、G4及R2、R3、10K电阻组成2输入或非门电路(绿色虚线框),其输入也为A与B二点,由于在正常情况下,
  • 图二、由二极管、电阻、晶体管组成的与门、或非门、或门电路图 1、图二是从图一中截取的部分电路,其D3、D4与R1组成2输入正与门电路(粉色虚线框),其输入端A为G1管集电极,B为PLC输出端Q1.0,因A、B分别为G1管反相器的输出与输入端,故A、B二点的电压总是反相的(如B为高,则A为低,如B为低,则A为高),在正常情况下,A、B二点总有一个为0电压,故使与门输出点m的电压恒=0。 2、D5、D6、G4及R2、R3、10K电阻组成2输入或非门电路(绿色虚线框),其输入也为A与B二点,由于在正常情况下, >>
  • 来源:www.musen.com.cn/news/12973.html
  • 一、电镀(表面处理厂):镀金、银、钯、铂、铑的废水、废渣、过滤用过的滤芯(棉芯、炭芯),电镀用 挂具笼上的挂具渣、扎线、过滤活性炭、过滤含金树脂、真空电镀炉脱落的炉壁渣、榨挂具后的水、渣、试镀品 、返镀品。 渣、扎线、过滤活性炭、过滤含金树脂、真空电镀炉脱落的炉壁渣、榨挂具后的水、渣、试镀品、返镀品,电镀厂的淤泥、退金水等。 二、电子元件厂:贵金属电阻材料;贵金属测温材料;贵金属浆料;贵金属薄膜材料;电阻;电容;二极管;晶体 管;厚膜电路;独石电容;集成电路板;软式线路板;半导体(集成电路);热敏电阻;光
  • 一、电镀(表面处理厂):镀金、银、钯、铂、铑的废水、废渣、过滤用过的滤芯(棉芯、炭芯),电镀用 挂具笼上的挂具渣、扎线、过滤活性炭、过滤含金树脂、真空电镀炉脱落的炉壁渣、榨挂具后的水、渣、试镀品 、返镀品。 渣、扎线、过滤活性炭、过滤含金树脂、真空电镀炉脱落的炉壁渣、榨挂具后的水、渣、试镀品、返镀品,电镀厂的淤泥、退金水等。 二、电子元件厂:贵金属电阻材料;贵金属测温材料;贵金属浆料;贵金属薄膜材料;电阻;电容;二极管;晶体 管;厚膜电路;独石电容;集成电路板;软式线路板;半导体(集成电路);热敏电阻;光 >>
  • 来源:www.ntfzx.com/products.asp?id=460
  • 如图是两组晶体管、二极管钳位的反激式开关电源。VT1和VT2由于控制脉冲同时激励,在它们导通时,输入电压U1施加到变压器T的原边绕组N1上;VT1和VT2截止时,绕组N1上的电压极性颠倒,在它达到U1时,二极管VD2和VD3导通,Nl上的电压被钳位在U1。因此,每个晶体管上施加的电压幅值将不会超过输入电压U1。如果该电路直接在电网整流下工作,则最高直流输入电压约为342V。耐压为450V的晶体管便可使用。该电路的不足之处是,晶体管使用的数目多,驱动功率大,而且需要同时通、断。
  • 如图是两组晶体管、二极管钳位的反激式开关电源。VT1和VT2由于控制脉冲同时激励,在它们导通时,输入电压U1施加到变压器T的原边绕组N1上;VT1和VT2截止时,绕组N1上的电压极性颠倒,在它达到U1时,二极管VD2和VD3导通,Nl上的电压被钳位在U1。因此,每个晶体管上施加的电压幅值将不会超过输入电压U1。如果该电路直接在电网整流下工作,则最高直流输入电压约为342V。耐压为450V的晶体管便可使用。该电路的不足之处是,晶体管使用的数目多,驱动功率大,而且需要同时通、断。 >>
  • 来源:www.eechina.com/thread-57623-1-1.html
  • 晶体二极管是一种常用的半导体器件,简称二极管。它是由一个P型半导体和N型半导体形成的P-N结,并在P-N结两端引出相应的电极引线,再加上管壳密封制成的。 晶体二极管的电路符号为,它最重要的特性就是单方向导电性。即在电路中,电流只能从晶体二极管的正极流入,负极流出。 二极管的功能特点见图7-1。  这是一个半波整流的电路原理图,在该电路中,二极管起整流的作用。 由于二极管具有单向导电特性,在交流电压处于正半周时,二极管导通;在交流电压处于负半周时,二极管截止,因而交流电经二极管VD整流后就变为脉动电压(缺少
  • 晶体二极管是一种常用的半导体器件,简称二极管。它是由一个P型半导体和N型半导体形成的P-N结,并在P-N结两端引出相应的电极引线,再加上管壳密封制成的。 晶体二极管的电路符号为,它最重要的特性就是单方向导电性。即在电路中,电流只能从晶体二极管的正极流入,负极流出。 二极管的功能特点见图7-1。 这是一个半波整流的电路原理图,在该电路中,二极管起整流的作用。 由于二极管具有单向导电特性,在交流电压处于正半周时,二极管导通;在交流电压处于负半周时,二极管截止,因而交流电经二极管VD整流后就变为脉动电压(缺少 >>
  • 来源:www.hk-zsy.com/shownews-656.html
  • 半导体硅片尺寸发展历程 单晶硅片是制造半导体硅器件的原料,用于制作大功率整流器、 大功率晶体管、二极管、开关器件等,其后续产品集成电路和半导体分立器件已广泛应用于各个领域。单晶硅作为一种重要的半导体材料,在光电转换、传统半导体器件中其应用已十分普遍。以电驱动的发光光源,如放电灯、荧光灯或阴极射线发光屏、 发光二极管等。从信息角度来看,可利用光发射、放大、调制、加工处理、存储、测量、显示等技术和元件,构成具有特定功能的光电子学系统。例如,利用光纤通信可以实现迅速和大容量信息传送的目的。它使原来类似的技术水
  • 半导体硅片尺寸发展历程 单晶硅片是制造半导体硅器件的原料,用于制作大功率整流器、 大功率晶体管、二极管、开关器件等,其后续产品集成电路和半导体分立器件已广泛应用于各个领域。单晶硅作为一种重要的半导体材料,在光电转换、传统半导体器件中其应用已十分普遍。以电驱动的发光光源,如放电灯、荧光灯或阴极射线发光屏、 发光二极管等。从信息角度来看,可利用光发射、放大、调制、加工处理、存储、测量、显示等技术和元件,构成具有特定功能的光电子学系统。例如,利用光纤通信可以实现迅速和大容量信息传送的目的。它使原来类似的技术水 >>
  • 来源:ee.ofweek.com/2017-02/ART-8420-2816-30105540.html
  • 抗混叠滤波器 对于滤波器的设计,作者一直采用查表法设计,这一次决定尝试使用TI网上推荐的FilterPro滤波器设计软件。作者很快从网上获得了免费的设计软件,并在自己的电脑安装了软件。  但让我感到很遗憾的是,软件在作者的电脑上运行不一会儿就弹出警告窗口报错,于是作者到TI网上下载了该软件的应用报告《FilterProTM MFB及Sallen-Key低通滤波器设计程序》,可是按照文章的方法操作还是无法让软件工作。直到现在为止还不知道为什么,可能是因为个人水平问题,希望有用过该软件的朋友交流交流。 最后,
  • 抗混叠滤波器 对于滤波器的设计,作者一直采用查表法设计,这一次决定尝试使用TI网上推荐的FilterPro滤波器设计软件。作者很快从网上获得了免费的设计软件,并在自己的电脑安装了软件。 但让我感到很遗憾的是,软件在作者的电脑上运行不一会儿就弹出警告窗口报错,于是作者到TI网上下载了该软件的应用报告《FilterProTM MFB及Sallen-Key低通滤波器设计程序》,可是按照文章的方法操作还是无法让软件工作。直到现在为止还不知道为什么,可能是因为个人水平问题,希望有用过该软件的朋友交流交流。 最后, >>
  • 来源:maweili.cepark.com/article/id/698
  • 我想对10A左右的工频交流(逆变输出电流)电流采样,本想用现有的霍尔传感器,可发现霍尔传感器带宽太低,反馈的时候估计会反应比较慢。所以想用电阻采样电流,然后用运放差分计算出电阻两端电压。  可是又发现一个问题,我把电阻串在了逆变输出的高压侧,此时采样电阻两端电压都很高(共模电压高),将近300V,肯定会把运放打坏。。。 附件里是我原本打算的电路,R3/R4=5.
  • 我想对10A左右的工频交流(逆变输出电流)电流采样,本想用现有的霍尔传感器,可发现霍尔传感器带宽太低,反馈的时候估计会反应比较慢。所以想用电阻采样电流,然后用运放差分计算出电阻两端电压。 可是又发现一个问题,我把电阻串在了逆变输出的高压侧,此时采样电阻两端电压都很高(共模电压高),将近300V,肯定会把运放打坏。。。 附件里是我原本打算的电路,R3/R4=5. >>
  • 来源:www.kareatar.com/newsview.aspx?id=78&tid=4
  • 导读:当电压一定,电流I随频率变化的关系曲线称为谐振曲线。在RLC串联电路中电流为 从串联谐振曲线可知,当时,电流达到最大值,即谐振电流。电流在附近的一段频率内,电流有较大的幅值。当逐渐远离时,电流则逐渐减小,说明电路对电 ...
  • 导读:当电压一定,电流I随频率变化的关系曲线称为谐振曲线。在RLC串联电路中电流为 从串联谐振曲线可知,当时,电流达到最大值,即谐振电流。电流在附近的一段频率内,电流有较大的幅值。当逐渐远离时,电流则逐渐减小,说明电路对电 ... >>
  • 来源:www.sddgks.com/jishu/jichu/48767.html
  • 半导体PN结的伏安特性与其耗尽层(又称空间电荷区或阻挡层)的情况有很大关系。而耗尽层的宽度和半导体的掺杂浓度有关。低掺杂材料的耗尽层宽,高掺杂材料的耗尽层窄。耗尽层是个绝缘体,其中没有载流子,通常只有外加偏压大到足够克服势垒时,才能让载流子通过。硅的势垒约为0.
  • 半导体PN结的伏安特性与其耗尽层(又称空间电荷区或阻挡层)的情况有很大关系。而耗尽层的宽度和半导体的掺杂浓度有关。低掺杂材料的耗尽层宽,高掺杂材料的耗尽层窄。耗尽层是个绝缘体,其中没有载流子,通常只有外加偏压大到足够克服势垒时,才能让载流子通过。硅的势垒约为0. >>
  • 来源:www.gooxian.com/article/show-2363.htm