• 图5:采用运放和双极结型晶体管设计的简单电压分割器。 输出电压用P1调节。这种电压分割器工作起来像直流放大器一样,增益Av等于Av=1+R4/R5。R5如果不需要可以省略,此时的增益就是单位1。该电路也可以用作跟随器和电流缓冲器。 电压分割器的输出电流限制为50mA至2000mA,具体取决于晶体管T1和T2以及运放的输出能力。电容C4*只用于需要给运放提供外部频率补偿之时。大多数音频功率放大器包含图5所示的所有元件,因此非常适合于搭建可调和非可调的电压分割器。
  • 图5:采用运放和双极结型晶体管设计的简单电压分割器。 输出电压用P1调节。这种电压分割器工作起来像直流放大器一样,增益Av等于Av=1+R4/R5。R5如果不需要可以省略,此时的增益就是单位1。该电路也可以用作跟随器和电流缓冲器。 电压分割器的输出电流限制为50mA至2000mA,具体取决于晶体管T1和T2以及运放的输出能力。电容C4*只用于需要给运放提供外部频率补偿之时。大多数音频功率放大器包含图5所示的所有元件,因此非常适合于搭建可调和非可调的电压分割器。 >>
  • 来源:diagram.eepw.com.cn/diagram/circuit/cid/240/cirid/155674
  • 更多感动 全新突破 评清逸伦G&W TW-368T胆前石后合并式放大器 文:陈澍翰 上世纪九十年代,中国音响工业进入了第一个黄金时代,诞生了第一批民族音响企业。经过二十多年的大浪淘沙,在第一批民族音响企业中,少部分生存下来并稳步发展,进而逐步走向世界。北京清逸伦音响技术有限公司就是其中之一。 执着坚持造就知名厂牌 北京清逸伦音响技术有限公司,于25年前在北京清华大学创立。在清华大学工程师吴刚先生的带领下,清逸伦G&W一直以研究、开发和生产各类中高档次高保真放大器为核心业务,并以清逸伦G&a
  • 更多感动 全新突破 评清逸伦G&W TW-368T胆前石后合并式放大器 文:陈澍翰 上世纪九十年代,中国音响工业进入了第一个黄金时代,诞生了第一批民族音响企业。经过二十多年的大浪淘沙,在第一批民族音响企业中,少部分生存下来并稳步发展,进而逐步走向世界。北京清逸伦音响技术有限公司就是其中之一。 执着坚持造就知名厂牌 北京清逸伦音响技术有限公司,于25年前在北京清华大学创立。在清华大学工程师吴刚先生的带领下,清逸伦G&W一直以研究、开发和生产各类中高档次高保真放大器为核心业务,并以清逸伦G&a >>
  • 来源:www.gwtsinghua.com/Article/products/cj01/201308/183.html
  • 图1:反相运放配置。 集成差分放大器就利用了精确的片上电阻匹配和激光微调。这些集成器件优异的共模抑制依赖于精心设计的集成电路的精确匹配和温度跟踪。 通过使用成对切割(1:1比率)的芯片并将其放置在密闭网络封装中可实现明显的跟踪增益。可以通过使用超高精度电阻(热端或冷端的电阻温度系数在0.
  • 图1:反相运放配置。 集成差分放大器就利用了精确的片上电阻匹配和激光微调。这些集成器件优异的共模抑制依赖于精心设计的集成电路的精确匹配和温度跟踪。 通过使用成对切割(1:1比率)的芯片并将其放置在密闭网络封装中可实现明显的跟踪增益。可以通过使用超高精度电阻(热端或冷端的电阻温度系数在0. >>
  • 来源:mini.eastday.com/mobile/180327232428540.html
  •   图5:采用运放和双极结型晶体管设计的简单电压分割器。   输出电压用P1调节。这种电压分割器工作起来像直流放大器一样,增益Av等于Av=1+R4/R5。R5如果不需要可以省略,此时的增益就是单位1。该电路也可以用作跟随器和电流缓冲器。   电压分割器的输出电流限制为50mA至2000mA,具体取决于晶体管T1和T2以及运放的输出能力。电容C4*只用于需要给运放提供外部频率补偿之时。大多数音频功率放大器包含图5所示的所有元件,因此非常适合于搭建可调和非可调的电压分割器。
  •   图5:采用运放和双极结型晶体管设计的简单电压分割器。   输出电压用P1调节。这种电压分割器工作起来像直流放大器一样,增益Av等于Av=1+R4/R5。R5如果不需要可以省略,此时的增益就是单位1。该电路也可以用作跟随器和电流缓冲器。   电压分割器的输出电流限制为50mA至2000mA,具体取决于晶体管T1和T2以及运放的输出能力。电容C4*只用于需要给运放提供外部频率补偿之时。大多数音频功率放大器包含图5所示的所有元件,因此非常适合于搭建可调和非可调的电压分割器。 >>
  • 来源:ee.ofweek.com/2015-08/ART-11000-2802-28991642_2.html
  •   老猫马七前级连接的是一台美国爱琴 Adcom GFA-535 纯后级,据悉内部作了某些摩机.我对这台并不厚重的晶体管后级不是很了解,不过我在网上搜到了对此机的简单描述--------------   ADCOM 爱德康/爱琴   ADCOM是美国优秀的功放、音源设备生产厂家.它的产品以中、高档的前后级分体式功放为主,兼作中档CD唱机、合并式功放.
  •   老猫马七前级连接的是一台美国爱琴 Adcom GFA-535 纯后级,据悉内部作了某些摩机.我对这台并不厚重的晶体管后级不是很了解,不过我在网上搜到了对此机的简单描述--------------   ADCOM 爱德康/爱琴   ADCOM是美国优秀的功放、音源设备生产厂家.它的产品以中、高档的前后级分体式功放为主,兼作中档CD唱机、合并式功放. >>
  • 来源:www.hifidiy.net/index.php?s=/home/marticle/detail/id/16347/p/3.html
  • 双极结型晶体管,绝缘栅双极型晶体管,绝缘栅双极晶体管,晶体管漏型,双极型三极管,双极晶体管,双极型,双极型二极管,p型晶体管,晶体管 双极型晶体管_百度百科 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。.
  • 双极结型晶体管,绝缘栅双极型晶体管,绝缘栅双极晶体管,晶体管漏型,双极型三极管,双极晶体管,双极型,双极型二极管,p型晶体管,晶体管 双极型晶体管_百度百科 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。. >>
  • 来源:yueyang.guangminjingtiguan.ejinqiao.com/Shop/8-9587.htm
  • 发布日期:2014-12-17 12:13,如果您觉得Toshiba东芝双极晶体管TTA1943、2SA1943N描述资料不够齐全,请联系我们获取详细资料。(联系时请告诉我从中国产品网看到的,我们将给您最大优惠!) 本页链接: 已经有115位访客查看了本页
  • 发布日期:2014-12-17 12:13,如果您觉得Toshiba东芝双极晶体管TTA1943、2SA1943N描述资料不够齐全,请联系我们获取详细资料。(联系时请告诉我从中国产品网看到的,我们将给您最大优惠!) 本页链接: 已经有115位访客查看了本页 >>
  • 来源:www.pe168.com/com/xlczkj/sell/itemid-1529405.html
  • IGBT(Insulated Gate Bipolor Transistor)叫做绝缘栅极双极晶体管。这种器件具有MOS门极的高速开关性能和双极动作的高耐压、大电流容量的两种特点。其开关速度可达1mS,额定电流密度100A/cm2,电压驱动,自身损耗小。其符号和波形图如下图所示。   IGBT可以耐高压、大电流,常以一个单元、二个单元、六个单元装在一个芯片上,下图给出一、二、六单元在一个硅片上的等效电路。  (end)
  • IGBT(Insulated Gate Bipolor Transistor)叫做绝缘栅极双极晶体管。这种器件具有MOS门极的高速开关性能和双极动作的高耐压、大电流容量的两种特点。其开关速度可达1mS,额定电流密度100A/cm2,电压驱动,自身损耗小。其符号和波形图如下图所示。 IGBT可以耐高压、大电流,常以一个单元、二个单元、六个单元装在一个芯片上,下图给出一、二、六单元在一个硅片上的等效电路。 (end) >>
  • 来源:tech.newmaker.com/art_49227.html
  • 发布日期:2014-12-17 12:12,如果您觉得Toshiba东芝双极晶体管TTA1943、2SA1943N描述资料不够齐全,请联系我们获取详细资料。(联系时请告诉我从中国产品网看到的,我们将给您最大优惠!) 本页链接: 已经有138位访客查看了本页
  • 发布日期:2014-12-17 12:12,如果您觉得Toshiba东芝双极晶体管TTA1943、2SA1943N描述资料不够齐全,请联系我们获取详细资料。(联系时请告诉我从中国产品网看到的,我们将给您最大优惠!) 本页链接: 已经有138位访客查看了本页 >>
  • 来源:www.pe168.com/com/xlczkj/sell/itemid-1529403.html
  • 发布日期:2014-12-17 12:12,如果您觉得Toshiba东芝双极晶体管TTA1943、2SA1943N描述资料不够齐全,请联系我们获取详细资料。(联系时请告诉我从中国产品网看到的,我们将给您最大优惠!) 本页链接: 已经有107位访客查看了本页
  • 发布日期:2014-12-17 12:12,如果您觉得Toshiba东芝双极晶体管TTA1943、2SA1943N描述资料不够齐全,请联系我们获取详细资料。(联系时请告诉我从中国产品网看到的,我们将给您最大优惠!) 本页链接: 已经有107位访客查看了本页 >>
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  • **章 硅谷引发的半导体革命 一、什么是半导体 二、真空管及其终结者 二、肖克莱、巴丁和布拉顿的发现 四、晶体管之父威廉肖克莱与硅谷的故事 五、半导体二极管 六、双极型晶体管(BJT) 七、绝缘栅场效应晶体管 八、晶体管的未来纳米器件 第二章 点石成金的集成电路技术 一、从晶体管到集成电路 二、又一位诺贝尔奖获得者的故事 三、集成电路平面工艺仙童的发明 四、集成电路是怎样加工而成的 五、淀积工艺 六、钝化工艺 七、光刻工艺 八、神奇的预言家戈登-摩尔和摩尔定律 九、摩尔定律的背后 十、
  • **章 硅谷引发的半导体革命 一、什么是半导体 二、真空管及其终结者 二、肖克莱、巴丁和布拉顿的发现 四、晶体管之父威廉肖克莱与硅谷的故事 五、半导体二极管 六、双极型晶体管(BJT) 七、绝缘栅场效应晶体管 八、晶体管的未来纳米器件 第二章 点石成金的集成电路技术 一、从晶体管到集成电路 二、又一位诺贝尔奖获得者的故事 三、集成电路平面工艺仙童的发明 四、集成电路是怎样加工而成的 五、淀积工艺 六、钝化工艺 七、光刻工艺 八、神奇的预言家戈登-摩尔和摩尔定律 九、摩尔定律的背后 十、 >>
  • 来源:www.winxuan.com/product/1200618883
  • 08.实用无线电手册 81年版,1255页,5.4公分厚 品相可以 主要内容包括1:国产及国外各国电子管命名法 2:国产电子管与外国电子管的代换 3:晶体管与电子管的功率放大器 4:音调控制和补偿 5:晶体管的名手中高频放大器及宽频带放大器 6:高频功率放大器 7:电子管调谐与宽频带放大器 8:调频与调幅电路 9:晶体管超外差式收音机名单元电路及特殊电路 10:收音机的调整与测量 11:电唱机 12:扩音机与扬声器的配接,使用与维修 13:40mm至380mm国产扬声器的基本电声参数 13:各种形状的音
  • 08.实用无线电手册 81年版,1255页,5.4公分厚 品相可以 主要内容包括1:国产及国外各国电子管命名法 2:国产电子管与外国电子管的代换 3:晶体管与电子管的功率放大器 4:音调控制和补偿 5:晶体管的名手中高频放大器及宽频带放大器 6:高频功率放大器 7:电子管调谐与宽频带放大器 8:调频与调幅电路 9:晶体管超外差式收音机名单元电路及特殊电路 10:收音机的调整与测量 11:电唱机 12:扩音机与扬声器的配接,使用与维修 13:40mm至380mm国产扬声器的基本电声参数 13:各种形状的音 >>
  • 来源:www.diybuy.net/thread-401068-1-1.html
  • 图1:反相运放配置。 集成差分放大器就利用了精确的片上电阻匹配和激光微调。这些集成器件优异的共模抑制依赖于精心设计的集成电路的精确匹配和温度跟踪。 通过使用成对切割(1:1比率)的芯片并将其放置在密闭网络封装中可实现明显的跟踪增益。可以通过使用超高精度电阻(热端或冷端的电阻温度系数在0.
  • 图1:反相运放配置。 集成差分放大器就利用了精确的片上电阻匹配和激光微调。这些集成器件优异的共模抑制依赖于精心设计的集成电路的精确匹配和温度跟踪。 通过使用成对切割(1:1比率)的芯片并将其放置在密闭网络封装中可实现明显的跟踪增益。可以通过使用超高精度电阻(热端或冷端的电阻温度系数在0. >>
  • 来源:www.netdzb.com/lgx1213/vip_doc/11179556.html
  • 与MOSFET相关的主要电容是栅极与沟道之间的电容,PESD3V3L5UV但是由于沟道的准确长度随着源漏电压VDS的变化而变化(图2.18),因此电容值也随着VDS的变化而变化。例如,在三极管区,沟道长度为源极到漏极的距离(即绘图长度L,drawnlength),整体的栅极沟道电容在源极和漏极均匀分离,与沟道宽度W、绘图长度L和单位面积电容C成正比(。但是在饱和区,沟道长度缩短,沟道进一步向源极靠近,一部分沟道电容增加到有效栅源电容上,而栅漏电容。减小至仅为交叠容。在截止区,两个电容都非常小,近似等于它们
  • 与MOSFET相关的主要电容是栅极与沟道之间的电容,PESD3V3L5UV但是由于沟道的准确长度随着源漏电压VDS的变化而变化(图2.18),因此电容值也随着VDS的变化而变化。例如,在三极管区,沟道长度为源极到漏极的距离(即绘图长度L,drawnlength),整体的栅极沟道电容在源极和漏极均匀分离,与沟道宽度W、绘图长度L和单位面积电容C成正比(。但是在饱和区,沟道长度缩短,沟道进一步向源极靠近,一部分沟道电容增加到有效栅源电容上,而栅漏电容。减小至仅为交叠容。在截止区,两个电容都非常小,近似等于它们 >>
  • 来源:www.51dzw.com/embed/embed_88335.html
  • 你的要求是要对35V进行通断控制,也就是三极管工作在开关状态.此时,对三极管和电阻的要求非常宽泛,只要取经验数值就足够了,一般对于小功率管,基极电阻控制在基极电流在几个毫安-十几毫安.工作在稍大功率的晶体管的放大倍数一般可取50,小功率的可取100.由于三极管参数的离散性,在开关状态的三极管放大倍数要稍小一些为好.
  • 你的要求是要对35V进行通断控制,也就是三极管工作在开关状态.此时,对三极管和电阻的要求非常宽泛,只要取经验数值就足够了,一般对于小功率管,基极电阻控制在基极电流在几个毫安-十几毫安.工作在稍大功率的晶体管的放大倍数一般可取50,小功率的可取100.由于三极管参数的离散性,在开关状态的三极管放大倍数要稍小一些为好. >>
  • 来源:www.zuoyesou.com/question/sjgkzd.html
  • 发布日期:2014-12-17 12:12,如果您觉得Toshiba东芝双极晶体管TTA1943、2SA1943N描述资料不够齐全,请联系我们获取详细资料。(联系时请告诉我从中国产品网看到的,我们将给您最大优惠!) 本页链接: 已经有138位访客查看了本页
  • 发布日期:2014-12-17 12:12,如果您觉得Toshiba东芝双极晶体管TTA1943、2SA1943N描述资料不够齐全,请联系我们获取详细资料。(联系时请告诉我从中国产品网看到的,我们将给您最大优惠!) 本页链接: 已经有138位访客查看了本页 >>
  • 来源:www.pe168.com/com/xlczkj/sell/itemid-1529403.html
  • /enpproperty--> 共轭聚合物因其柔性、可溶液加工、低成本等优点,在柔性显示、电子皮肤和生物传感等功能器件中有潜在的应用价值。高均匀性的大面积加工是共轭聚合物作为有机半导体材料向实际应用转化的重要一步,但具有很强的挑战性。由于共轭聚合物的分子间强相互作用和复杂的链缠结,溶液加工过程中往往产生结晶与无定形区域、排列缺陷、厚度变化等非均匀性现象,限制了共轭聚合物的大面积加工。即使在稀溶液中,共轭聚合物分子之间仍具有一定程度的聚集。因此,如何通过调控聚合物从溶液到固相薄膜的聚集行为和组装过程,从而
  • /enpproperty--> 共轭聚合物因其柔性、可溶液加工、低成本等优点,在柔性显示、电子皮肤和生物传感等功能器件中有潜在的应用价值。高均匀性的大面积加工是共轭聚合物作为有机半导体材料向实际应用转化的重要一步,但具有很强的挑战性。由于共轭聚合物的分子间强相互作用和复杂的链缠结,溶液加工过程中往往产生结晶与无定形区域、排列缺陷、厚度变化等非均匀性现象,限制了共轭聚合物的大面积加工。即使在稀溶液中,共轭聚合物分子之间仍具有一定程度的聚集。因此,如何通过调控聚合物从溶液到固相薄膜的聚集行为和组装过程,从而 >>
  • 来源:pkunews.pku.edu.cn/xwzh/2019-01/04/content_305952.htm