• 图5:采用运放和双极结型晶体管设计的简单电压分割器。 输出电压用P1调节。这种电压分割器工作起来像直流放大器一样,增益Av等于Av=1+R4/R5。R5如果不需要可以省略,此时的增益就是单位1。该电路也可以用作跟随器和电流缓冲器。 电压分割器的输出电流限制为50mA至2000mA,具体取决于晶体管T1和T2以及运放的输出能力。电容C4*只用于需要给运放提供外部频率补偿之时。大多数音频功率放大器包含图5所示的所有元件,因此非常适合于搭建可调和非可调的电压分割器。
  • 图5:采用运放和双极结型晶体管设计的简单电压分割器。 输出电压用P1调节。这种电压分割器工作起来像直流放大器一样,增益Av等于Av=1+R4/R5。R5如果不需要可以省略,此时的增益就是单位1。该电路也可以用作跟随器和电流缓冲器。 电压分割器的输出电流限制为50mA至2000mA,具体取决于晶体管T1和T2以及运放的输出能力。电容C4*只用于需要给运放提供外部频率补偿之时。大多数音频功率放大器包含图5所示的所有元件,因此非常适合于搭建可调和非可调的电压分割器。 >>
  • 来源:diagram.eepw.com.cn/diagram/circuit/cid/240/cirid/155674
  •   图5:采用运放和双极结型晶体管设计的简单电压分割器。   输出电压用P1调节。这种电压分割器工作起来像直流放大器一样,增益Av等于Av=1+R4/R5。R5如果不需要可以省略,此时的增益就是单位1。该电路也可以用作跟随器和电流缓冲器。   电压分割器的输出电流限制为50mA至2000mA,具体取决于晶体管T1和T2以及运放的输出能力。电容C4*只用于需要给运放提供外部频率补偿之时。大多数音频功率放大器包含图5所示的所有元件,因此非常适合于搭建可调和非可调的电压分割器。
  •   图5:采用运放和双极结型晶体管设计的简单电压分割器。   输出电压用P1调节。这种电压分割器工作起来像直流放大器一样,增益Av等于Av=1+R4/R5。R5如果不需要可以省略,此时的增益就是单位1。该电路也可以用作跟随器和电流缓冲器。   电压分割器的输出电流限制为50mA至2000mA,具体取决于晶体管T1和T2以及运放的输出能力。电容C4*只用于需要给运放提供外部频率补偿之时。大多数音频功率放大器包含图5所示的所有元件,因此非常适合于搭建可调和非可调的电压分割器。 >>
  • 来源:ee.ofweek.com/2015-08/ART-11000-2802-28991642_2.html
  •   老猫马七前级连接的是一台美国爱琴 Adcom GFA-535 纯后级,据悉内部作了某些摩机.我对这台并不厚重的晶体管后级不是很了解,不过我在网上搜到了对此机的简单描述--------------   ADCOM 爱德康/爱琴   ADCOM是美国优秀的功放、音源设备生产厂家.它的产品以中、高档的前后级分体式功放为主,兼作中档CD唱机、合并式功放.
  •   老猫马七前级连接的是一台美国爱琴 Adcom GFA-535 纯后级,据悉内部作了某些摩机.我对这台并不厚重的晶体管后级不是很了解,不过我在网上搜到了对此机的简单描述--------------   ADCOM 爱德康/爱琴   ADCOM是美国优秀的功放、音源设备生产厂家.它的产品以中、高档的前后级分体式功放为主,兼作中档CD唱机、合并式功放. >>
  • 来源:www.hifidiy.net/index.php?s=/home/marticle/detail/id/16347/p/3.html
  • 更多感动 全新突破 评清逸伦G&W TW-368T胆前石后合并式放大器 文:陈澍翰 上世纪九十年代,中国音响工业进入了第一个黄金时代,诞生了第一批民族音响企业。经过二十多年的大浪淘沙,在第一批民族音响企业中,少部分生存下来并稳步发展,进而逐步走向世界。北京清逸伦音响技术有限公司就是其中之一。 执着坚持造就知名厂牌 北京清逸伦音响技术有限公司,于25年前在北京清华大学创立。在清华大学工程师吴刚先生的带领下,清逸伦G&W一直以研究、开发和生产各类中高档次高保真放大器为核心业务,并以清逸伦G&a
  • 更多感动 全新突破 评清逸伦G&W TW-368T胆前石后合并式放大器 文:陈澍翰 上世纪九十年代,中国音响工业进入了第一个黄金时代,诞生了第一批民族音响企业。经过二十多年的大浪淘沙,在第一批民族音响企业中,少部分生存下来并稳步发展,进而逐步走向世界。北京清逸伦音响技术有限公司就是其中之一。 执着坚持造就知名厂牌 北京清逸伦音响技术有限公司,于25年前在北京清华大学创立。在清华大学工程师吴刚先生的带领下,清逸伦G&W一直以研究、开发和生产各类中高档次高保真放大器为核心业务,并以清逸伦G&a >>
  • 来源:www.gwtsinghua.com/Article/products/cj01/201308/183.html
  • 图1:反相运放配置。 集成差分放大器就利用了精确的片上电阻匹配和激光微调。这些集成器件优异的共模抑制依赖于精心设计的集成电路的精确匹配和温度跟踪。 通过使用成对切割(1:1比率)的芯片并将其放置在密闭网络封装中可实现明显的跟踪增益。可以通过使用超高精度电阻(热端或冷端的电阻温度系数在0.
  • 图1:反相运放配置。 集成差分放大器就利用了精确的片上电阻匹配和激光微调。这些集成器件优异的共模抑制依赖于精心设计的集成电路的精确匹配和温度跟踪。 通过使用成对切割(1:1比率)的芯片并将其放置在密闭网络封装中可实现明显的跟踪增益。可以通过使用超高精度电阻(热端或冷端的电阻温度系数在0. >>
  • 来源:mini.eastday.com/mobile/180327232428540.html
  • 虽然温度为25时发射极-基极间的正向电压约为0.7V,温度变化的情况下,每上升1正向电压约减少 2.2mV。例如,在50时约为 。 相反,降到-40的情况下约为 。 像这样,因为根据温度的变化正向电压Vf也变化,所以请注意。另外,在25时的正向电压为0.7V只是标准。请注意有±0.
  • 虽然温度为25时发射极-基极间的正向电压约为0.7V,温度变化的情况下,每上升1正向电压约减少 2.2mV。例如,在50时约为 。 相反,降到-40的情况下约为 。 像这样,因为根据温度的变化正向电压Vf也变化,所以请注意。另外,在25时的正向电压为0.7V只是标准。请注意有±0. >>
  • 来源:www.perry-ele.com/wtshow.asp?bh=11818&classcode=7003
  • 发布日期:2014-12-17 12:12,如果您觉得Toshiba东芝双极晶体管TTA1943、2SA1943N描述资料不够齐全,请联系我们获取详细资料。(联系时请告诉我从中国产品网看到的,我们将给您最大优惠!) 本页链接: 已经有139位访客查看了本页
  • 发布日期:2014-12-17 12:12,如果您觉得Toshiba东芝双极晶体管TTA1943、2SA1943N描述资料不够齐全,请联系我们获取详细资料。(联系时请告诉我从中国产品网看到的,我们将给您最大优惠!) 本页链接: 已经有139位访客查看了本页 >>
  • 来源:www.pe168.com/com/xlczkj/sell/itemid-1529404.html
  • 双极结型晶体管,绝缘栅双极型晶体管,绝缘栅双极晶体管,晶体管漏型,双极型三极管,双极晶体管,双极型,双极型二极管,p型晶体管,晶体管 双极型晶体管_百度百科 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。.
  • 双极结型晶体管,绝缘栅双极型晶体管,绝缘栅双极晶体管,晶体管漏型,双极型三极管,双极晶体管,双极型,双极型二极管,p型晶体管,晶体管 双极型晶体管_百度百科 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。. >>
  • 来源:yueyang.guangminjingtiguan.ejinqiao.com/Shop/8-9587.htm
  • 图1:反相运放配置。 集成差分放大器就利用了精确的片上电阻匹配和激光微调。这些集成器件优异的共模抑制依赖于精心设计的集成电路的精确匹配和温度跟踪。 通过使用成对切割(1:1比率)的芯片并将其放置在密闭网络封装中可实现明显的跟踪增益。可以通过使用超高精度电阻(热端或冷端的电阻温度系数在0.
  • 图1:反相运放配置。 集成差分放大器就利用了精确的片上电阻匹配和激光微调。这些集成器件优异的共模抑制依赖于精心设计的集成电路的精确匹配和温度跟踪。 通过使用成对切割(1:1比率)的芯片并将其放置在密闭网络封装中可实现明显的跟踪增益。可以通过使用超高精度电阻(热端或冷端的电阻温度系数在0. >>
  • 来源:www.netdzb.com/lgx1213/vip_doc/11179556.html
  • 发布日期:2014-12-17 12:12,如果您觉得Toshiba东芝双极晶体管TTA1943、2SA1943N描述资料不够齐全,请联系我们获取详细资料。(联系时请告诉我从中国产品网看到的,我们将给您最大优惠!) 本页链接: 已经有107位访客查看了本页
  • 发布日期:2014-12-17 12:12,如果您觉得Toshiba东芝双极晶体管TTA1943、2SA1943N描述资料不够齐全,请联系我们获取详细资料。(联系时请告诉我从中国产品网看到的,我们将给您最大优惠!) 本页链接: 已经有107位访客查看了本页 >>
  • 来源:www.pe168.com/com/xlczkj/sell/itemid-1529403.html
  • 电源技术,最大功率为3500W,先将220V单相工频交流电,经4个二极管组成全桥电路进行整流,再经过大电容滤波得到300V左右的直流电,此时直流电中纹波较大。直流电通过由4个绝缘栅双极晶体管(IGBT)组成的全桥逆变器,得到电压可调的高频交流电,经高频变压器耦合到副边,再经全桥整流,最后经电感电容滤波得到纹波很小的直流电为蓄电池充电。多功能充电系统能为不同类型的蓄电池及容量不同的蓄电池充电,其充电过程中的充电电压、电流通过单片机实时控制,整个充电系统为反馈控制系统,单片机通过实时检测充电过程中的电流、电压
  • 电源技术,最大功率为3500W,先将220V单相工频交流电,经4个二极管组成全桥电路进行整流,再经过大电容滤波得到300V左右的直流电,此时直流电中纹波较大。直流电通过由4个绝缘栅双极晶体管(IGBT)组成的全桥逆变器,得到电压可调的高频交流电,经高频变压器耦合到副边,再经全桥整流,最后经电感电容滤波得到纹波很小的直流电为蓄电池充电。多功能充电系统能为不同类型的蓄电池及容量不同的蓄电池充电,其充电过程中的充电电压、电流通过单片机实时控制,整个充电系统为反馈控制系统,单片机通过实时检测充电过程中的电流、电压 >>
  • 来源:news.cecb2b.com/info/20120831/113519.shtml
  • 与MOSFET相关的主要电容是栅极与沟道之间的电容,PESD3V3L5UV但是由于沟道的准确长度随着源漏电压VDS的变化而变化(图2.18),因此电容值也随着VDS的变化而变化。例如,在三极管区,沟道长度为源极到漏极的距离(即绘图长度L,drawnlength),整体的栅极沟道电容在源极和漏极均匀分离,与沟道宽度W、绘图长度L和单位面积电容C成正比(。但是在饱和区,沟道长度缩短,沟道进一步向源极靠近,一部分沟道电容增加到有效栅源电容上,而栅漏电容。减小至仅为交叠容。在截止区,两个电容都非常小,近似等于它们
  • 与MOSFET相关的主要电容是栅极与沟道之间的电容,PESD3V3L5UV但是由于沟道的准确长度随着源漏电压VDS的变化而变化(图2.18),因此电容值也随着VDS的变化而变化。例如,在三极管区,沟道长度为源极到漏极的距离(即绘图长度L,drawnlength),整体的栅极沟道电容在源极和漏极均匀分离,与沟道宽度W、绘图长度L和单位面积电容C成正比(。但是在饱和区,沟道长度缩短,沟道进一步向源极靠近,一部分沟道电容增加到有效栅源电容上,而栅漏电容。减小至仅为交叠容。在截止区,两个电容都非常小,近似等于它们 >>
  • 来源:www.51dzw.com/embed/embed_88335.html
  • 鳍式场效晶体管的出现对集成电路物理设计及可测性设计流程具有重大影响。鳍式场效晶体管的引进意味着在集成电路设计制程中互补金属氧化物(CMOS)晶体管必须被建模成三维(3D)的器件,这就包含了各种复杂性和不确定性。加州大学伯克利分校器件组的BSIM集团开发出了一个模型,被称作BSIM-CMG (common multi-gate)模型,来代表存在鳍式场效晶体管的电阻和电容。晶圆代工厂竭力提供精准器件及寄生数据,同时也致力于保留先前工艺所采用的使用模型。 寄生提取挑战 然而,每个晶圆代工厂都会修改标准模型以使得
  • 鳍式场效晶体管的出现对集成电路物理设计及可测性设计流程具有重大影响。鳍式场效晶体管的引进意味着在集成电路设计制程中互补金属氧化物(CMOS)晶体管必须被建模成三维(3D)的器件,这就包含了各种复杂性和不确定性。加州大学伯克利分校器件组的BSIM集团开发出了一个模型,被称作BSIM-CMG (common multi-gate)模型,来代表存在鳍式场效晶体管的电阻和电容。晶圆代工厂竭力提供精准器件及寄生数据,同时也致力于保留先前工艺所采用的使用模型。 寄生提取挑战 然而,每个晶圆代工厂都会修改标准模型以使得 >>
  • 来源:www.mlcc1.com/news/11258.html
  • 08.实用无线电手册 81年版,1255页,5.4公分厚 品相可以 主要内容包括1:国产及国外各国电子管命名法 2:国产电子管与外国电子管的代换 3:晶体管与电子管的功率放大器 4:音调控制和补偿 5:晶体管的名手中高频放大器及宽频带放大器 6:高频功率放大器 7:电子管调谐与宽频带放大器 8:调频与调幅电路 9:晶体管超外差式收音机名单元电路及特殊电路 10:收音机的调整与测量 11:电唱机 12:扩音机与扬声器的配接,使用与维修 13:40mm至380mm国产扬声器的基本电声参数 13:各种形状的音
  • 08.实用无线电手册 81年版,1255页,5.4公分厚 品相可以 主要内容包括1:国产及国外各国电子管命名法 2:国产电子管与外国电子管的代换 3:晶体管与电子管的功率放大器 4:音调控制和补偿 5:晶体管的名手中高频放大器及宽频带放大器 6:高频功率放大器 7:电子管调谐与宽频带放大器 8:调频与调幅电路 9:晶体管超外差式收音机名单元电路及特殊电路 10:收音机的调整与测量 11:电唱机 12:扩音机与扬声器的配接,使用与维修 13:40mm至380mm国产扬声器的基本电声参数 13:各种形状的音 >>
  • 来源:www.diybuy.net/thread-401068-1-1.html
  • IGBT(Insulated Gate Bipolor Transistor)叫做绝缘栅极双极晶体管。这种器件具有MOS门极的高速开关性能和双极动作的高耐压、大电流容量的两种特点。其开关速度可达1mS,额定电流密度100A/cm2,电压驱动,自身损耗小。其符号和波形图如下图所示。   IGBT可以耐高压、大电流,常以一个单元、二个单元、六个单元装在一个芯片上,下图给出一、二、六单元在一个硅片上的等效电路。  (end)
  • IGBT(Insulated Gate Bipolor Transistor)叫做绝缘栅极双极晶体管。这种器件具有MOS门极的高速开关性能和双极动作的高耐压、大电流容量的两种特点。其开关速度可达1mS,额定电流密度100A/cm2,电压驱动,自身损耗小。其符号和波形图如下图所示。 IGBT可以耐高压、大电流,常以一个单元、二个单元、六个单元装在一个芯片上,下图给出一、二、六单元在一个硅片上的等效电路。 (end) >>
  • 来源:tech.newmaker.com/art_49227.html
  • 5. 集成运算放大器 集成运算放大器是一种把多级直流放大器做在一个集成片上,只要在外部接少量元件就能完成各种功能的器件。因为它早期是用在模拟计算机中做加法器、乘法器用的,所以叫做运算放大器。 6. 振荡器 不需要外加信号就能自动地把直流电能转换成具有一定振幅和一定频率的交流信号的电路就称为振荡电路或振荡器。这种现象也叫做自激振荡。或者说,能够产生交流信号的电路就叫做振荡电路。 一个振荡器必须包括三部分:放大器、正反馈电路和选频网络。放大器能对振荡器输入端所加的输入信号予以放大使输出信号保持恒定的数值。正反
  • 5. 集成运算放大器 集成运算放大器是一种把多级直流放大器做在一个集成片上,只要在外部接少量元件就能完成各种功能的器件。因为它早期是用在模拟计算机中做加法器、乘法器用的,所以叫做运算放大器。 6. 振荡器 不需要外加信号就能自动地把直流电能转换成具有一定振幅和一定频率的交流信号的电路就称为振荡电路或振荡器。这种现象也叫做自激振荡。或者说,能够产生交流信号的电路就叫做振荡电路。 一个振荡器必须包括三部分:放大器、正反馈电路和选频网络。放大器能对振荡器输入端所加的输入信号予以放大使输出信号保持恒定的数值。正反 >>
  • 来源:blog.sina.com.cn/s/blog_15e48a6e20102x8b9.html
  • Sim Audio旗下的发烧品牌MOON之作品,当然是发烧货色,更采取贵精不贵多的态度,只提供入门与参考两级选择,即Neo 230HAD与Neo 430HA或430HAD等,两个级别、三个型号。采用窄身(7吋)机箱的Neo 230HAD,既为耳扩,亦将DSD译码器及前级功能集一身,乃消费约一万三千元之入门级货色。至于Neo 430HA与430HAD,两者同样既为耳扩亦可充当前级,而430HAD则加入DSD译码功能。Neo 430HA与430HAD的消费较Neo 230HAD高出一大截,分别为2.
  • Sim Audio旗下的发烧品牌MOON之作品,当然是发烧货色,更采取贵精不贵多的态度,只提供入门与参考两级选择,即Neo 230HAD与Neo 430HA或430HAD等,两个级别、三个型号。采用窄身(7吋)机箱的Neo 230HAD,既为耳扩,亦将DSD译码器及前级功能集一身,乃消费约一万三千元之入门级货色。至于Neo 430HA与430HAD,两者同样既为耳扩亦可充当前级,而430HAD则加入DSD译码功能。Neo 430HA与430HAD的消费较Neo 230HAD高出一大截,分别为2. >>
  • 来源:www.sthifi.com/Article/ViewArticle.asp?id=9947