• : NPN型和PNP型基本开关电路图 上面的基本电路离实际设计电路还有些距离:由于晶体管基极电荷存储积累效应使晶体管从导通到断开有一个过渡过程(当晶体管断开时,由于R1的存在,减慢了基极电荷的释放,所以Ic不会马上变为零)。也就是说发射极接地型开关电路存在关断时间,不能直接应用于中高频开关。 1.
  • : NPN型和PNP型基本开关电路图 上面的基本电路离实际设计电路还有些距离:由于晶体管基极电荷存储积累效应使晶体管从导通到断开有一个过渡过程(当晶体管断开时,由于R1的存在,减慢了基极电荷的释放,所以Ic不会马上变为零)。也就是说发射极接地型开关电路存在关断时间,不能直接应用于中高频开关。 1. >>
  • 来源:www.52micromcu.com/a/jichuzhishi/yingjian/2015/0606/22283.html
  • ,比赛正式开始,三位队员马上投入到操作当中,绘制电路图、焊接电路、书写论文,一切都进行得井然有序,三个人配合默契。要在短短的四天时间里做出一个完整的电子系统,考验的不仅是各模块同学的技术,更考验选手之间的配合度。许多参赛队伍在最终联机调试中败下阵来,前功尽弃。科学讲求精确性,失之毫厘,差之千里。在比赛过程中,由于时间紧迫,队员们必须争分夺秒,有时当后勤人员把晚餐送过来的时候,发现他的午饭依然未动。他们真的是腾出了所有的精力来查资料、调整参数和整理元件等等,但睡眠却是隔天精力的必要准备,所以三个人或者每天睡
  • ,比赛正式开始,三位队员马上投入到操作当中,绘制电路图、焊接电路、书写论文,一切都进行得井然有序,三个人配合默契。要在短短的四天时间里做出一个完整的电子系统,考验的不仅是各模块同学的技术,更考验选手之间的配合度。许多参赛队伍在最终联机调试中败下阵来,前功尽弃。科学讲求精确性,失之毫厘,差之千里。在比赛过程中,由于时间紧迫,队员们必须争分夺秒,有时当后勤人员把晚餐送过来的时候,发现他的午饭依然未动。他们真的是腾出了所有的精力来查资料、调整参数和整理元件等等,但睡眠却是隔天精力的必要准备,所以三个人或者每天睡 >>
  • 来源:cuc.fjnu.edu.cn/newscenter/xhjh/190410/14618.html
  • 三极管做开关时,工作在截至和饱和两个状态。一般是通过控制三极管的基极电压Ub来控制三极管的导通与断开。  图1 NPN与PNP  表2 NPN和PNP的工作状态及条件 如上 图1所示,对于NPN来说,使Ube<Uon,三极管断开,Ube>Uon,三极管导通,其中一般Ue接地,则只需控制Ub,使Ub>Uon即可使之导通。 对于PNP来说,使Ueb<Uon,三极管断开,Ueb>Uon,三极管导通,其中一般Uc接地,所以要使三极管导通既要控制Ue又要控制Ub使Ueb>Uon才
  • 三极管做开关时,工作在截至和饱和两个状态。一般是通过控制三极管的基极电压Ub来控制三极管的导通与断开。 图1 NPN与PNP 表2 NPN和PNP的工作状态及条件 如上 图1所示,对于NPN来说,使Ube<Uon,三极管断开,Ube>Uon,三极管导通,其中一般Ue接地,则只需控制Ub,使Ub>Uon即可使之导通。 对于PNP来说,使Ueb<Uon,三极管断开,Ueb>Uon,三极管导通,其中一般Uc接地,所以要使三极管导通既要控制Ue又要控制Ub使Ueb>Uon才 >>
  • 来源:www.68idc.cn/help/opersys/qt/20160513615667.html
  • 1.基极必须串接电阻,保护基极。保护CPU的IO口。 2.基极依据PNP或者NPN管子加上拉电阻或者下拉电阻。 3.集电极电阻阻值依据驱动电流实际情况调整。相同基极电阻也能够依据实际情况调整。 基极和发射极须要串接电阻,该电阻的作用是在输入呈高阻态时使晶体管可靠截止。极小值是在前级驱动使晶体管饱和时与基极限流电阻分压后可以满足晶体管的临界饱和,实际选择时会大大高于这个极小值。通常外接干扰越小、负载越重准许的阻值就越大。通常採用10K量级。 防止三极
  • 1.基极必须串接电阻,保护基极。保护CPU的IO口。 2.基极依据PNP或者NPN管子加上拉电阻或者下拉电阻。 3.集电极电阻阻值依据驱动电流实际情况调整。相同基极电阻也能够依据实际情况调整。 基极和发射极须要串接电阻,该电阻的作用是在输入呈高阻态时使晶体管可靠截止。极小值是在前级驱动使晶体管饱和时与基极限流电阻分压后可以满足晶体管的临界饱和,实际选择时会大大高于这个极小值。通常外接干扰越小、负载越重准许的阻值就越大。通常採用10K量级。 防止三极 >>
  • 来源:www.lxway.com/565151614.htm
  • e是最后的射极接地电路的形式,r3是限流电阻,r2是防止晶体管在没有输入时受外界干扰导通,限流电阻可以根据外界输入电压与0.6v的插值/限定电流 得到,r2不能太大,否则微小扰动就会引起晶体管导通,也不能太小,太小的话晶体管导通时会有较多无用电流流过r2。rc可以直接换成负载。 这个电路的输出与输入是反向180度的,可以做反向器,也可以起到电压转换的作用,比如输入3v输出5v等等。 但是由于这个电路是由共发射极放大电路得来的,那么共发射极放大电路的频率特性不好的特点他也有,怎么办?加一个加速电容!在哪加
  • e是最后的射极接地电路的形式,r3是限流电阻,r2是防止晶体管在没有输入时受外界干扰导通,限流电阻可以根据外界输入电压与0.6v的插值/限定电流 得到,r2不能太大,否则微小扰动就会引起晶体管导通,也不能太小,太小的话晶体管导通时会有较多无用电流流过r2。rc可以直接换成负载。 这个电路的输出与输入是反向180度的,可以做反向器,也可以起到电压转换的作用,比如输入3v输出5v等等。 但是由于这个电路是由共发射极放大电路得来的,那么共发射极放大电路的频率特性不好的特点他也有,怎么办?加一个加速电容!在哪加 >>
  • 来源:www.lxway.com/489985116.htm
  • 『三联盛SLS贴片三极管 MMBT4403 开关电路晶体管 PNP』的供应商『深圳市福田区新亚洲电子市场二期翼伟鑫电..』的联系方式为13480920071,0755-23883325,联系人:郭伟鑫  
  • 『三联盛SLS贴片三极管 MMBT4403 开关电路晶体管 PNP』的供应商『深圳市福田区新亚洲电子市场二期翼伟鑫电..』的联系方式为13480920071,0755-23883325,联系人:郭伟鑫   >>
  • 来源:china.makepolo.com/product-picture/100288947974_0.html
  • 首先集电极要接一个负载电阻R1,基极要接一个基极电阻R2,如图.1所示。欲将电流传送到负载上,则三极管的集电极与发射极必须短路。因此必须使Vin达到足够高的电位,以驱动三极管进入饱和工作区工作。三极管呈饱和状态时,集电极电流相当大,几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上,如此则Vce便接近于0,而使三极管的集电极和发射极几乎呈短路。在理想状况下,根据欧姆定律,三极管呈饱和时,1)集电极饱和电流应该为:Ic(饱和)=Vcc/R1------------------(公式1)集电极饱和电流 2)基极电流最
  • 首先集电极要接一个负载电阻R1,基极要接一个基极电阻R2,如图.1所示。欲将电流传送到负载上,则三极管的集电极与发射极必须短路。因此必须使Vin达到足够高的电位,以驱动三极管进入饱和工作区工作。三极管呈饱和状态时,集电极电流相当大,几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上,如此则Vce便接近于0,而使三极管的集电极和发射极几乎呈短路。在理想状况下,根据欧姆定律,三极管呈饱和时,1)集电极饱和电流应该为:Ic(饱和)=Vcc/R1------------------(公式1)集电极饱和电流 2)基极电流最 >>
  • 来源:www.musen.com.cn/news/19939.html
  • 关键词: 我公司长期提供【供应浙大中控DCS晶体管开关量输出卡XP362、SP362】,价格低廉,如果您对我们的【供应浙大中控DCS晶体管开关量输出卡XP362、SP362】感兴趣,请随时拨打下方的电话,点击留言或QQ与我交谈,联系我时,请说是在中国供应商上看到的,谢谢!干触点开关量输入卡XP363(B) 干触点开关量输入卡是智能型8路干触点开关量输入卡,采用光电隔离卡件提供隔离的24V/48V直流巡检电压,具有自检功能。 卡件技术指标 型 号 xp363(B) 卡件电源 5V供电电源     5vDC,
  • 关键词: 我公司长期提供【供应浙大中控DCS晶体管开关量输出卡XP362、SP362】,价格低廉,如果您对我们的【供应浙大中控DCS晶体管开关量输出卡XP362、SP362】感兴趣,请随时拨打下方的电话,点击留言或QQ与我交谈,联系我时,请说是在中国供应商上看到的,谢谢!干触点开关量输入卡XP363(B) 干触点开关量输入卡是智能型8路干触点开关量输入卡,采用光电隔离卡件提供隔离的24V/48V直流巡检电压,具有自检功能。 卡件技术指标 型 号 xp363(B) 卡件电源 5V供电电源     5vDC, >>
  • 来源:www.app17.com/supply/offerdetail/2756040.html
  • 三极管做开关时,工作在截至和饱和两个状态。一般是通过控制三极管的基极电压Ub来控制三极管的导通与断开。  图1 NPN与PNP  表2 NPN和PNP的工作状态及条件 如上 图1所示,对于NPN来说,使Ube<Uon,三极管断开,Ube>Uon,三极管导通,其中一般Ue接地,则只需控制Ub,使Ub>Uon即可使之导通。 对于PNP来说,使Ueb<Uon,三极管断开,Ueb>Uon,三极管导通,其中一般Uc接地,所以要使三极管导通既要控制Ue又要控制Ub使Ueb>Uon才
  • 三极管做开关时,工作在截至和饱和两个状态。一般是通过控制三极管的基极电压Ub来控制三极管的导通与断开。 图1 NPN与PNP 表2 NPN和PNP的工作状态及条件 如上 图1所示,对于NPN来说,使Ube<Uon,三极管断开,Ube>Uon,三极管导通,其中一般Ue接地,则只需控制Ub,使Ub>Uon即可使之导通。 对于PNP来说,使Ueb<Uon,三极管断开,Ueb>Uon,三极管导通,其中一般Uc接地,所以要使三极管导通既要控制Ue又要控制Ub使Ueb>Uon才 >>
  • 来源:www.myexception.cn/internet/2094422.html
  • 题目: 三极管开关电路如下图示:求R1,R2,R3这三个电阻的取值和计算方法实现Q2的天关功能.  目前此电路在短路时,导线长一点或导线细一点的情况下Q2开关失效,怎样通过3个电阻的取值关系来调节这一失效现象?懂行的专家点化. 解答: 电路接法有错误.正常情况下B点电压是5v,Q1处于导通或微导通状态.
  • 题目: 三极管开关电路如下图示:求R1,R2,R3这三个电阻的取值和计算方法实现Q2的天关功能. 目前此电路在短路时,导线长一点或导线细一点的情况下Q2开关失效,怎样通过3个电阻的取值关系来调节这一失效现象?懂行的专家点化. 解答: 电路接法有错误.正常情况下B点电压是5v,Q1处于导通或微导通状态. >>
  • 来源:www.wesiedu.com/zuoye/4965441152.html
  • 半导体硅片尺寸发展历程 单晶硅片是制造半导体硅器件的原料,用于制作大功率整流器、 大功率晶体管、二极管、开关器件等,其后续产品集成电路和半导体分立器件已广泛应用于各个领域。单晶硅作为一种重要的半导体材料,在光电转换、传统半导体器件中其应用已十分普遍。以电驱动的发光光源,如放电灯、荧光灯或阴极射线发光屏、 发光二极管等。从信息角度来看,可利用光发射、放大、调制、加工处理、存储、测量、显示等技术和元件,构成具有特定功能的光电子学系统。例如,利用光纤通信可以实现迅速和大容量信息传送的目的。它使原来类似的技术水
  • 半导体硅片尺寸发展历程 单晶硅片是制造半导体硅器件的原料,用于制作大功率整流器、 大功率晶体管、二极管、开关器件等,其后续产品集成电路和半导体分立器件已广泛应用于各个领域。单晶硅作为一种重要的半导体材料,在光电转换、传统半导体器件中其应用已十分普遍。以电驱动的发光光源,如放电灯、荧光灯或阴极射线发光屏、 发光二极管等。从信息角度来看,可利用光发射、放大、调制、加工处理、存储、测量、显示等技术和元件,构成具有特定功能的光电子学系统。例如,利用光纤通信可以实现迅速和大容量信息传送的目的。它使原来类似的技术水 >>
  • 来源:ee.ofweek.com/2017-02/ART-8420-2816-30105540.html
  •   实际上,B点电位与负载电容和电容Cboot的大小有关,可以根据设计需要调整。具体关系将在介绍电路具体设计时详细讨论。在图2中给出了输入端IN电位与A、B两点电位关系的示意图。   驱动电路结构   图3中给出了驱动电路的电路图。驱动电路采用Totem输出结构设计,上拉驱动管为NMOS管N4、晶体管Q1和PMOS管P5。下拉驱动管为NMOS管N5。图中CL为负载电容,Cpar为B点的寄生电容。虚线框内的电路为自举升压电路。
  •   实际上,B点电位与负载电容和电容Cboot的大小有关,可以根据设计需要调整。具体关系将在介绍电路具体设计时详细讨论。在图2中给出了输入端IN电位与A、B两点电位关系的示意图。   驱动电路结构   图3中给出了驱动电路的电路图。驱动电路采用Totem输出结构设计,上拉驱动管为NMOS管N4、晶体管Q1和PMOS管P5。下拉驱动管为NMOS管N5。图中CL为负载电容,Cpar为B点的寄生电容。虚线框内的电路为自举升压电路。 >>
  • 来源:www.dzsc.com/data/2018-1-16/114356.html
  • 例如,当大家看到符号时,因为该符号的箭头是由基极指向发射极的,说明当发射结处在正向偏置时,电流是由基极流向发射极。根据前面所讨论的内容已知,当PN结处在正向偏置时,电流是由P型半导体流向N型半导体,由此可得,该三极管的基区是P型半导体,其它的两个区都是N型半导体,所以该三极管为NPN型三极管。 三极管开关特性的实际应用
  • 例如,当大家看到符号时,因为该符号的箭头是由基极指向发射极的,说明当发射结处在正向偏置时,电流是由基极流向发射极。根据前面所讨论的内容已知,当PN结处在正向偏置时,电流是由P型半导体流向N型半导体,由此可得,该三极管的基区是P型半导体,其它的两个区都是N型半导体,所以该三极管为NPN型三极管。 三极管开关特性的实际应用 >>
  • 来源:blog.ifeng.com/article/44815169.html
  • 三极管做开关时,工作在截至和饱和两个状态。一般是通过控制三极管的基极电压Ub来控制三极管的导通与断开。  图1 NPN与PNP  表2 NPN和PNP的工作状态及条件 如上 图1所示,对于NPN来说,使Ube<Uon,三极管断开,Ube>Uon,三极管导通,其中一般Ue接地,则只需控制Ub,使Ub>Uon即可使之导通。 对于PNP来说,使Ueb<Uon,三极管断开,Ueb>Uon,三极管导通,其中一般Uc接地,所以要使三极管导通既要控制Ue又要控制Ub使Ueb>Uon才
  • 三极管做开关时,工作在截至和饱和两个状态。一般是通过控制三极管的基极电压Ub来控制三极管的导通与断开。 图1 NPN与PNP 表2 NPN和PNP的工作状态及条件 如上 图1所示,对于NPN来说,使Ube<Uon,三极管断开,Ube>Uon,三极管导通,其中一般Ue接地,则只需控制Ub,使Ub>Uon即可使之导通。 对于PNP来说,使Ueb<Uon,三极管断开,Ueb>Uon,三极管导通,其中一般Uc接地,所以要使三极管导通既要控制Ue又要控制Ub使Ueb>Uon才 >>
  • 来源:www.68idc.cn/help/opersys/qt/20160513615667.html
  • 国内技术水平与发达国家颇有差距。 现阶段国家政策是积极采用国际、发达国家标准,国标制修定向国外靠拢。:loveliness: 我翻译IEC 标准,负责把英文翻译成中文。:lol 为制修定国标提供草案。:loveliness: IEC官方语言是 英文、法文,俄文主要是俄罗斯国家委员会负责,基本是独联体内部使用。 IEC官方出版物,奇数页是英文,偶数页是法文。国内出版的基本上把法文部分去掉了。:lol 本周我还编辑了两个IEC标准,删除了法文。:lol
  • 国内技术水平与发达国家颇有差距。 现阶段国家政策是积极采用国际、发达国家标准,国标制修定向国外靠拢。:loveliness: 我翻译IEC 标准,负责把英文翻译成中文。:lol 为制修定国标提供草案。:loveliness: IEC官方语言是 英文、法文,俄文主要是俄罗斯国家委员会负责,基本是独联体内部使用。 IEC官方出版物,奇数页是英文,偶数页是法文。国内出版的基本上把法文部分去掉了。:lol 本周我还编辑了两个IEC标准,删除了法文。:lol >>
  • 来源:www.shoudian.org/thread-41473-3-1.html
  • 三极管做开关时,工作在截至和饱和两个状态。一般是通过控制三极管的基极电压Ub来控制三极管的导通与断开。  图1 NPN与PNP  表2 NPN和PNP的工作状态及条件 如上 图1所示,对于NPN来说,使Ube<Uon,三极管断开,Ube>Uon,三极管导通,其中一般Ue接地,则只需控制Ub,使Ub>Uon即可使之导通。 对于PNP来说,使Ueb<Uon,三极管断开,Ueb>Uon,三极管导通,其中一般Uc接地,所以要使三极管导通既要控制Ue又要控制Ub使Ueb>Uon才
  • 三极管做开关时,工作在截至和饱和两个状态。一般是通过控制三极管的基极电压Ub来控制三极管的导通与断开。 图1 NPN与PNP 表2 NPN和PNP的工作状态及条件 如上 图1所示,对于NPN来说,使Ube<Uon,三极管断开,Ube>Uon,三极管导通,其中一般Ue接地,则只需控制Ub,使Ub>Uon即可使之导通。 对于PNP来说,使Ueb<Uon,三极管断开,Ueb>Uon,三极管导通,其中一般Uc接地,所以要使三极管导通既要控制Ue又要控制Ub使Ueb>Uon才 >>
  • 来源:www.myexception.cn/internet/2094422.html
  • C总线接口 图 6 显示了最终的电路情况。至少使用 0.1Μf 电容器来对芯片电源进行缓冲。通过 1k 到 10k电阻器,始终将激活输入端连接至各个电源轨。这些电阻器可控制进入电源线路的浪涌瞬态所引起的芯片突入电流。利用滤波器电容(此处为 220pF)来抑制敏感的 CMOS 输入噪声,是一种较好的模拟设计方法。 没有隔离电源,隔离设计便不完整。图 7 显示了一种低成本、隔离式 DC/DC 转换器设计,用于替代昂贵的集成 DC/DC 模块。主副电源均可以在 3.
  • C总线接口 图 6 显示了最终的电路情况。至少使用 0.1Μf 电容器来对芯片电源进行缓冲。通过 1k 到 10k电阻器,始终将激活输入端连接至各个电源轨。这些电阻器可控制进入电源线路的浪涌瞬态所引起的芯片突入电流。利用滤波器电容(此处为 220pF)来抑制敏感的 CMOS 输入噪声,是一种较好的模拟设计方法。 没有隔离电源,隔离设计便不完整。图 7 显示了一种低成本、隔离式 DC/DC 转换器设计,用于替代昂贵的集成 DC/DC 模块。主副电源均可以在 3. >>
  • 来源:www.deyisupport.com/blog/b/analogwire/archive/2013/11/27/i2c.aspx