•   图1:LED镇流器NCV78663应用电路图   NCV78763将每串LED电流最高提升为1.6 A,提供更高的调光分辨率,Boost的环路补偿由数字改为模拟。由于移除内部OTP,所以必须结合MCU进行工作,成本较NCV78663有所降低。  
  •   图1:LED镇流器NCV78663应用电路图   NCV78763将每串LED电流最高提升为1.6 A,提供更高的调光分辨率,Boost的环路补偿由数字改为模拟。由于移除内部OTP,所以必须结合MCU进行工作,成本较NCV78663有所降低。   >>
  • 来源:www.alighting.cn/pingce/20170930/152986.htm
  •   微星R9 290X GAMING 4G显卡采用双DVI+HDMI+DisplayPort视频输出组合,支持市面上绝大多数显示器的接口需要。   微星R9 290X GAMING 4G 显卡   [参考价格] 2699元   [商家名称] 内蒙古耐特电子   [联系电话] 0471-6927806 13314884999   [联系地址] 内蒙古呼和浩特市中山西路诚信数码大厦3A236号微星科技   [店铺地址] http://dealer.
  •   微星R9 290X GAMING 4G显卡采用双DVI+HDMI+DisplayPort视频输出组合,支持市面上绝大多数显示器的接口需要。   微星R9 290X GAMING 4G 显卡   [参考价格] 2699元   [商家名称] 内蒙古耐特电子   [联系电话] 0471-6927806 13314884999   [联系地址] 内蒙古呼和浩特市中山西路诚信数码大厦3A236号微星科技   [店铺地址] http://dealer. >>
  • 来源:tech.hexun.com/2015-04-21/175165216.html
  •  引 言   对于一些需要长时间不间断操作、高可靠的系统,如基站通信设备、监控设备、服务器等,往往需要高可靠的电源供应。冗余电源设计是其中的关键部分,在高可用系统中起着重要作用。冗余电源一般配置2个以上电源。当1个电源出现故障时,其他电源可以立刻投入,不中断设备的正常运行。这类似于UPS电源的工作原理:当市电断电时由电池顶替供电。冗余电源的区别主要是由不同的电源供电。   电源冗余有交流220 V及各种直流电压的应用,本文主要介绍低压直流(如DC 5 V、DC 12 V等)的冗余电源方案设计。   1 冗
  •  引 言   对于一些需要长时间不间断操作、高可靠的系统,如基站通信设备、监控设备、服务器等,往往需要高可靠的电源供应。冗余电源设计是其中的关键部分,在高可用系统中起着重要作用。冗余电源一般配置2个以上电源。当1个电源出现故障时,其他电源可以立刻投入,不中断设备的正常运行。这类似于UPS电源的工作原理:当市电断电时由电池顶替供电。冗余电源的区别主要是由不同的电源供电。   电源冗余有交流220 V及各种直流电压的应用,本文主要介绍低压直流(如DC 5 V、DC 12 V等)的冗余电源方案设计。   1 冗 >>
  • 来源:www.mmsonline.com.cn/info/153688.shtml
  • 1、测试传导EMI 的线路图 LISN— Line Impedance Stabilization Network 源阻抗稳定网络(人工电源网络)。 LISN 是电力系统中电磁兼容中的一项重要辅助设备。它可以隔离电网干扰,提供稳定的测试阻抗,并起到滤波的作用。 LISN 是在进行传导干扰发射测试中,为了客观地考核受试设备(DUT)的干扰,在电网与受试设备之间加入的网络。该网络具有以下功能: 1)、在规定的频率范围内提供一个规定的稳定的线路阻抗。由于电网受各种因素影响,使其线路阻抗不稳定。可是,
  • 1、测试传导EMI 的线路图 LISN— Line Impedance Stabilization Network 源阻抗稳定网络(人工电源网络)。 LISN 是电力系统中电磁兼容中的一项重要辅助设备。它可以隔离电网干扰,提供稳定的测试阻抗,并起到滤波的作用。 LISN 是在进行传导干扰发射测试中,为了客观地考核受试设备(DUT)的干扰,在电网与受试设备之间加入的网络。该网络具有以下功能: 1)、在规定的频率范围内提供一个规定的稳定的线路阻抗。由于电网受各种因素影响,使其线路阻抗不稳定。可是, >>
  • 来源:www.tnm-corad.com.cn/news/Show-4756.html
  •   摘要:本发明涉及一种大功率MOSFET驱动方法,TTL式的MOSFET驱动信号,光电隔离器U1的输入单元,输入到比较器U2的负端,信号经比较后,再经限流电阻R5,输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上,Q1与Q2的射极输出相联,然后经限流保护电阻R6,再驱动大功率MOSFET,注意,大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接,形成驱动电流回路,本发明具有驱动能力大,电气完全隔离,可驱动一个或是数十个到百个大功率MOSFET同时并联工作,性能稳定可靠,尤其是在精密大电流闭环场合,更能发挥其控制优势。
  •   摘要:本发明涉及一种大功率MOSFET驱动方法,TTL式的MOSFET驱动信号,光电隔离器U1的输入单元,输入到比较器U2的负端,信号经比较后,再经限流电阻R5,输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上,Q1与Q2的射极输出相联,然后经限流保护电阻R6,再驱动大功率MOSFET,注意,大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接,形成驱动电流回路,本发明具有驱动能力大,电气完全隔离,可驱动一个或是数十个到百个大功率MOSFET同时并联工作,性能稳定可靠,尤其是在精密大电流闭环场合,更能发挥其控制优势。 >>
  • 来源:www.caigou.com.cn/patent/cn103151907a.shtml
  • 740)this.width=740" border=undefined> 1 原材料选用 1.1 双面电路板 SA-1202使用双面铜箔玻璃纤维电路板。双面电路板不仅使线路布置更加合理,而且铜箔也比单面电路板 厚了一倍,可以大大提高电路的可靠性。同时双面电路板器件的焊接比单面板更加牢固可靠,大大提高了产品的抗震动性能。 1.
  • 740)this.width=740" border=undefined> 1 原材料选用 1.1 双面电路板 SA-1202使用双面铜箔玻璃纤维电路板。双面电路板不仅使线路布置更加合理,而且铜箔也比单面电路板 厚了一倍,可以大大提高电路的可靠性。同时双面电路板器件的焊接比单面板更加牢固可靠,大大提高了产品的抗震动性能。 1. >>
  • 来源:www.hilbo.com/production/504.html
  • 本文由可控硅电力调整器-可控硅调压器-调压模块-单相调压模块-三相调压模块-可控硅触发器-电机正反转-固态继电器-晶闸管调压器-晶闸管模块-固态调压器-电力调整器-可控硅调功器-晶闸管调功器-移相触发器-可控硅移相触发器-整流调压模块-整流模块-可控硅整流器-正反转模块-三相电机正反转-交流固态继电器-大功率固态继电器整理发布,未经本站允许,不得转载! 1.
  • 本文由可控硅电力调整器-可控硅调压器-调压模块-单相调压模块-三相调压模块-可控硅触发器-电机正反转-固态继电器-晶闸管调压器-晶闸管模块-固态调压器-电力调整器-可控硅调功器-晶闸管调功器-移相触发器-可控硅移相触发器-整流调压模块-整流模块-可控硅整流器-正反转模块-三相电机正反转-交流固态继电器-大功率固态继电器整理发布,未经本站允许,不得转载! 1. >>
  • 来源:www.loncont.com.cn/jszc/314.html
  • (本系列功率MOSFET实现意法半导体独特STripFET™的过程专门设计来减少输入吗电容和门。因此适合作为先进高效的主开关,高频隔离直流-直流转换器为电信和计算机应用程序。它也用于任何应用程序与低门驱动需求)
  • (本系列功率MOSFET实现意法半导体独特STripFET™的过程专门设计来减少输入吗电容和门。因此适合作为先进高效的主开关,高频隔离直流-直流转换器为电信和计算机应用程序。它也用于任何应用程序与低门驱动需求) >>
  • 来源:www.cxsdic.com/shownews.asp?id=974
  • 深圳一东先科电子www.YDXK-IC.com 于2004年在深圳成立办事处,是一家专业的电子元器件IC供应商,在电子元器件行业具有一定的知名度, 公司的产品从民用、工业、军品、偏冷门停产系列遍及航空、航天、船舶、仪表等众多领域。 主要经营国际各大知名品牌产品线: (一)单片机IC(8位/16位微处理器,8位/16位微控制器、CPU)、存储器芯片(SRAM,DRAM,EEPROM,EPROMMemory,PLD可编程逻辑器件) (二)电源IC、接口IC、稳压IC、通信IC、TTL电路、CMOS电路、线性电
  • 深圳一东先科电子www.YDXK-IC.com 于2004年在深圳成立办事处,是一家专业的电子元器件IC供应商,在电子元器件行业具有一定的知名度, 公司的产品从民用、工业、军品、偏冷门停产系列遍及航空、航天、船舶、仪表等众多领域。 主要经营国际各大知名品牌产品线: (一)单片机IC(8位/16位微处理器,8位/16位微控制器、CPU)、存储器芯片(SRAM,DRAM,EEPROM,EPROMMemory,PLD可编程逻辑器件) (二)电源IC、接口IC、稳压IC、通信IC、TTL电路、CMOS电路、线性电 >>
  • 来源:www.51dzw.com/Product/Product_1978276.html
  • 以NCP101x为例,这系列器件集成了固定频率电流模式控制器及典型导通阻抗为11或22 Ω的700 V MOSFET,提供构建强固及低成本开关电源所需的全部特性,包括软启动、频率抖动、短路保护、跳周期、最大峰值电流设定点及动态自供电(不需要辅助绕组)等。在正常负载工作期间,NCP101x以65、100及130 kHz中的某一频率开关;而当电流设定点降到低于某个给定值(如输出功率需求消失)时,NCP101x自动进入所谓的跳周期模式(在此模式下跳除不需要的开关周期),从而提供极佳的轻载能效。由于进
  • 以NCP101x为例,这系列器件集成了固定频率电流模式控制器及典型导通阻抗为11或22 Ω的700 V MOSFET,提供构建强固及低成本开关电源所需的全部特性,包括软启动、频率抖动、短路保护、跳周期、最大峰值电流设定点及动态自供电(不需要辅助绕组)等。在正常负载工作期间,NCP101x以65、100及130 kHz中的某一频率开关;而当电流设定点降到低于某个给定值(如输出功率需求消失)时,NCP101x自动进入所谓的跳周期模式(在此模式下跳除不需要的开关周期),从而提供极佳的轻载能效。由于进 >>
  • 来源:fttx.eefocus.com/article/10-12/261292316695.html?sort=1771_1773_1819_0
  • 功能描述:MOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
  • 功能描述:MOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube >>
  • 来源:www.mmic.net.cn/irfi9z34g_datasheet_16417017_6.html
  •   摘要:本实用新型涉及一种大功率MOSFET驱动器,TTL式的MOSFET驱动信号,光电隔离器U1的输入单元,输入到比较器U2的负端,信号经比较后,再经限流电阻R5,输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上,Q1与Q2的射极输出相联,然后经限流保护电阻R6,再驱动大功率MOSFET,大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接,形成驱动电流回路,本实用新型具有驱动能力大,电气完全隔离,可驱动一个或是数十个到百个大功率MOSFET同时并联工作,性能稳定可靠,尤其是在精密大电流闭环场合,更能发挥其控制优势。
  •   摘要:本实用新型涉及一种大功率MOSFET驱动器,TTL式的MOSFET驱动信号,光电隔离器U1的输入单元,输入到比较器U2的负端,信号经比较后,再经限流电阻R5,输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上,Q1与Q2的射极输出相联,然后经限流保护电阻R6,再驱动大功率MOSFET,大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接,形成驱动电流回路,本实用新型具有驱动能力大,电气完全隔离,可驱动一个或是数十个到百个大功率MOSFET同时并联工作,性能稳定可靠,尤其是在精密大电流闭环场合,更能发挥其控制优势。 >>
  • 来源:www.caigou.com.cn/patent/cn202503492u.shtml
  •   基于单片机的太阳能 LED 路灯控制器电路设计   本文通过对太阳能电池板的输出特性、蓄电池的充放电特性以及大功率 LED 路灯驱动电路的研究,设计了一款智能控制器。 控制器是以 STC 单片机为核心,以 DC/DC 变换电路为硬件基础,以 PWM 技术为手段调节输出电压和电流,采用三段式策略来实现蓄电池的充电,其中在快充阶段采用 MPPT 算法,半功率点策略控制 LED 照明,极大突显了太阳能 LED 路灯系统的环保节能优势及应用前景。   面对地球生态环境日益恶化、资源日益短缺的现实,当今世界各国
  •   基于单片机的太阳能 LED 路灯控制器电路设计   本文通过对太阳能电池板的输出特性、蓄电池的充放电特性以及大功率 LED 路灯驱动电路的研究,设计了一款智能控制器。 控制器是以 STC 单片机为核心,以 DC/DC 变换电路为硬件基础,以 PWM 技术为手段调节输出电压和电流,采用三段式策略来实现蓄电池的充电,其中在快充阶段采用 MPPT 算法,半功率点策略控制 LED 照明,极大突显了太阳能 LED 路灯系统的环保节能优势及应用前景。   面对地球生态环境日益恶化、资源日益短缺的现实,当今世界各国 >>
  • 来源:www.dghgzm.com/html/768291521.html
  • 近來中、高階產品電源供應器的內部結構,均走向一次側 LLC 諧振加上二次側 SR 同步整流 +12V,再透過直流轉換將 +12V 變成 +5V 和 +3.3V,除了轉換效率較高較環保之外,對於現今電腦零組件輕載和重載之間的巨大用電量差異,也有比較好的調整適應能力。並以不同零件的導通電阻參數,切割出不同轉換效率產品。 若以 Seasonic 旗下 PRIME 和 FOCUS 系列相比,雖然內部結構大致趨近一致,但是 PRIME 在用料和作工依然高出一截,譬如 PRIME 市電輸入插座後方金屬層屏蔽、市電進入
  • 近來中、高階產品電源供應器的內部結構,均走向一次側 LLC 諧振加上二次側 SR 同步整流 +12V,再透過直流轉換將 +12V 變成 +5V 和 +3.3V,除了轉換效率較高較環保之外,對於現今電腦零組件輕載和重載之間的巨大用電量差異,也有比較好的調整適應能力。並以不同零件的導通電阻參數,切割出不同轉換效率產品。 若以 Seasonic 旗下 PRIME 和 FOCUS 系列相比,雖然內部結構大致趨近一致,但是 PRIME 在用料和作工依然高出一截,譬如 PRIME 市電輸入插座後方金屬層屏蔽、市電進入 >>
  • 来源:www.softplus.org/SMF/index.php?topic=3743.690
  • 从差模EMI 在高频段的等效电路可知,差模等效电路的EMI 源除了和MOSFET电压波形、激磁电感、滤波电容的ESR 有关外,还与变压器、输入滤波电容和引线的其他寄生参数有关。这与在低频段时有很大的差别,同样的EMI 阻抗也与低频段有很大的差别。 (1)-B 原边MOSFET 交流电压分量单独作用下的共模EMI 等效电路
  • 从差模EMI 在高频段的等效电路可知,差模等效电路的EMI 源除了和MOSFET电压波形、激磁电感、滤波电容的ESR 有关外,还与变压器、输入滤波电容和引线的其他寄生参数有关。这与在低频段时有很大的差别,同样的EMI 阻抗也与低频段有很大的差别。 (1)-B 原边MOSFET 交流电压分量单独作用下的共模EMI 等效电路 >>
  • 来源:www.safetyemc.cn/emc/201712/25/1628.html
  • 启达授权一级代理商 CR633X--高精度恒流/恒压的原边功率开关 概述: CR633X是一款应用于18W以内AC/DC充电器和电源适配器的高性能离线式原边功率开关。恒流控制模式采用变压器初级电感量补偿技术,提高了输出恒流的一致性。恒压控制模式采用多模式控制方式,合理地兼容了芯片的高性能、高精度和高效率。在全电压交流输入范围内,采用独有的自适应补偿专利技术,输出过功率保护点具有很高的一致性,同时通过内置的线损补偿电路保证了较高的输出电压精度。CR633X选型参考如下表:
  • 启达授权一级代理商 CR633X--高精度恒流/恒压的原边功率开关 概述: CR633X是一款应用于18W以内AC/DC充电器和电源适配器的高性能离线式原边功率开关。恒流控制模式采用变压器初级电感量补偿技术,提高了输出恒流的一致性。恒压控制模式采用多模式控制方式,合理地兼容了芯片的高性能、高精度和高效率。在全电压交流输入范围内,采用独有的自适应补偿专利技术,输出过功率保护点具有很高的一致性,同时通过内置的线损补偿电路保证了较高的输出电压精度。CR633X选型参考如下表: >>
  • 来源:www.jsddz.com/html/rxfqsdgfhz/ybnzMOS/CR6335/2015/1111/35.html
  • 3.7 Turnoff 特性 SiCMOSFET 的最大特点是原理上不会产生如IGBT 中经常见到的尾电流。SiC 即使在1200V 以上的耐压值时也可以采用快速的MOSFET 结构,所以,与IGBT 相比,Turnoff 损耗(Eoff)可以减少约90%,有利于电路的节能和散热设备的简化・小型化。而且,IGBT 的尾电流会随着温度的升高而增大,而SiCMOSFET 几乎不受温度的影响。 另外,由于较大的开关损耗引起的发热会致使结点温度(Tj)超过额定值,所以IGBT 通常不能在20
  • 3.7 Turnoff 特性 SiCMOSFET 的最大特点是原理上不会产生如IGBT 中经常见到的尾电流。SiC 即使在1200V 以上的耐压值时也可以采用快速的MOSFET 结构,所以,与IGBT 相比,Turnoff 损耗(Eoff)可以减少约90%,有利于电路的节能和散热设备的简化・小型化。而且,IGBT 的尾电流会随着温度的升高而增大,而SiCMOSFET 几乎不受温度的影响。 另外,由于较大的开关损耗引起的发热会致使结点温度(Tj)超过额定值,所以IGBT 通常不能在20 >>
  • 来源:www.igbt8.com/js/152.html