• 摘要: 在西门子PLC数字量输出的负载说明中有恒定值的阻性负载, 灯负载和感性负载。 在数据表中的这些值涉及到每个应用中的数字量输出。阻性负载恒定的阻性负载的特性一般是在技术数据中以最大输出电流(当信号为1时)的说明 ...
  • 摘要: 在西门子PLC数字量输出的负载说明中有恒定值的阻性负载, 灯负载和感性负载。 在数据表中的这些值涉及到每个应用中的数字量输出。阻性负载恒定的阻性负载的特性一般是在技术数据中以最大输出电流(当信号为1时)的说明 ... >>
  • 来源:www.diangon.com/m3593.html
  • 由于场效应管具有高输入电阻的特点,它适用于作为多级放大电路的输入级,尤其对高内阻信号源,采用场效应管才能有效地放大。 和双极型晶体管比较,场效应管的源极、漏极、栅极对应于它的发射极、集电极、基极,两者的放大电路也类似。在双极型晶体管放大电路中必须设置合适的静态工作点,否则将造成输出信号的失真。同理,场效应管放大电路也必须设置合适的工作点。 场效应管的共源极放大电路和普通晶体管的共发射极放大电路在电路结构上类似。场效应管中常用的直流偏置电路有两种形式,即自偏压偏置电路和分压式偏置电路。 1.自偏压偏置电路
  • 由于场效应管具有高输入电阻的特点,它适用于作为多级放大电路的输入级,尤其对高内阻信号源,采用场效应管才能有效地放大。 和双极型晶体管比较,场效应管的源极、漏极、栅极对应于它的发射极、集电极、基极,两者的放大电路也类似。在双极型晶体管放大电路中必须设置合适的静态工作点,否则将造成输出信号的失真。同理,场效应管放大电路也必须设置合适的工作点。 场效应管的共源极放大电路和普通晶体管的共发射极放大电路在电路结构上类似。场效应管中常用的直流偏置电路有两种形式,即自偏压偏置电路和分压式偏置电路。 1.自偏压偏置电路 >>
  • 来源:www.diangon.com/portal.php?mod=view&aid=3593&mobile=2
  • 该电路中,电池作为直流电源通过负载电阻器R1为场效应管漏极提供偏置电压,使其工作在放大状态。由外接天线接收天空中的各种信号,交流信号通过C1,进入LC谐振电路。LC谐振电路是由磁棒线圈和电容器组成的,谐振电路选频后,经C4耦合至场效应管VT的栅极,与栅极负偏压叠加,加到场效应管栅极上,使场效应管的漏极电流ID相应变化,并在负载电阻器R1上产生压降,经C5隔离直流后输出,在输出端即得到放大了的信号电压。放大后的信号送入三极管的基极,由三极管放大后输出较纯净的音频信号送到耳机。
  • 该电路中,电池作为直流电源通过负载电阻器R1为场效应管漏极提供偏置电压,使其工作在放大状态。由外接天线接收天空中的各种信号,交流信号通过C1,进入LC谐振电路。LC谐振电路是由磁棒线圈和电容器组成的,谐振电路选频后,经C4耦合至场效应管VT的栅极,与栅极负偏压叠加,加到场效应管栅极上,使场效应管的漏极电流ID相应变化,并在负载电阻器R1上产生压降,经C5隔离直流后输出,在输出端即得到放大了的信号电压。放大后的信号送入三极管的基极,由三极管放大后输出较纯净的音频信号送到耳机。 >>
  • 来源:www.aitmy.com/news/201504/09/news_83722.html
  • 图6-38 N沟道增强型场效应管 场效应管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数场效应管在出厂前已联结好)。从图6-39(a)可以看出,漏极D和源极S之间被P型存底隔开,则漏极D和源极S之间是两个背靠背的PN结。当栅-源电压UGS=0时,即使加上漏-源电压UDS,而且不论UDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流ID0。 若在栅-源极间加上正向电压,即UGS>0,则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场,这个电场能排斥空
  • 图6-38 N沟道增强型场效应管 场效应管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数场效应管在出厂前已联结好)。从图6-39(a)可以看出,漏极D和源极S之间被P型存底隔开,则漏极D和源极S之间是两个背靠背的PN结。当栅-源电压UGS=0时,即使加上漏-源电压UDS,而且不论UDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流ID0。 若在栅-源极间加上正向电压,即UGS>0,则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场,这个电场能排斥空 >>
  • 来源:www.musen.com.cn/news/7157.html
  • 摘要: 在西门子PLC数字量输出的负载说明中有恒定值的阻性负载, 灯负载和感性负载。 在数据表中的这些值涉及到每个应用中的数字量输出。阻性负载恒定的阻性负载的特性一般是在技术数据中以最大输出电流(当信号为1时)的说明 ...
  • 摘要: 在西门子PLC数字量输出的负载说明中有恒定值的阻性负载, 灯负载和感性负载。 在数据表中的这些值涉及到每个应用中的数字量输出。阻性负载恒定的阻性负载的特性一般是在技术数据中以最大输出电流(当信号为1时)的说明 ... >>
  • 来源:www.diangon.com/m3593.html
  • 当UDS增加到使UGD=UT时,这相当于UDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况,称为预夹断。此时的漏极电流ID 基本饱和 当UDS增加到UGD?UT时,此时预夹断区域加长,伸向S极。 UDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上, ID基本趋于不变。
  • 当UDS增加到使UGD=UT时,这相当于UDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况,称为预夹断。此时的漏极电流ID 基本饱和 当UDS增加到UGD?UT时,此时预夹断区域加长,伸向S极。 UDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上, ID基本趋于不变。 >>
  • 来源:www.kte99.com/Article/changxiaoyingguanjiq_1.html
  • 回答:1、测量场效应管输入电阻时,应考虑哪些因素。DA)由于场效应管输入电阻较高,一般可达10M以上,所以在测量时一定要使用高内阻表测量,注意预防静电击穿栅极,并要注意对外界信号隔离,以防感应信号的寄生在测量回路中,影响测量。2、为什么场效应管输入端的耦合电容一般只要0。02uf左右?
  • 回答:1、测量场效应管输入电阻时,应考虑哪些因素。DA)由于场效应管输入电阻较高,一般可达10M以上,所以在测量时一定要使用高内阻表测量,注意预防静电击穿栅极,并要注意对外界信号隔离,以防感应信号的寄生在测量回路中,影响测量。2、为什么场效应管输入端的耦合电容一般只要0。02uf左右? >>
  • 来源:zhishizhan.net/wuhuabamen/72694.html
  • 能 力 目 标 重点掌握场效应管放大电路的结构及功能特点,能够正确分析和识读放大电路中各种关键元器件的作用以及信号经过放大电路后的输出状态,并且可以灵活运用到实际电子产品电路中,能够正确分析其功能及作用范围。 5.2.1 场效应管放大电路的基本结构 场效应管与晶体管一样,也具有放大作用,但与普通晶体管是电流控制型器件相反,场效应管是电压控制型器件。它具有输入阻抗高、噪声低的特点。 场效应管的3个电极,即栅极、源极和漏极分别相当于晶体管的基极、发射极和集电极。图5-21所示是场效应管的3种组态电路,即共源极
  • 能 力 目 标 重点掌握场效应管放大电路的结构及功能特点,能够正确分析和识读放大电路中各种关键元器件的作用以及信号经过放大电路后的输出状态,并且可以灵活运用到实际电子产品电路中,能够正确分析其功能及作用范围。 5.2.1 场效应管放大电路的基本结构 场效应管与晶体管一样,也具有放大作用,但与普通晶体管是电流控制型器件相反,场效应管是电压控制型器件。它具有输入阻抗高、噪声低的特点。 场效应管的3个电极,即栅极、源极和漏极分别相当于晶体管的基极、发射极和集电极。图5-21所示是场效应管的3种组态电路,即共源极 >>
  • 来源:gumubook.eefocus.com/book/09-03/8331406010345.html
  • 能 力 目 标 重点掌握场效应管放大电路的结构及功能特点,能够正确分析和识读放大电路中各种关键元器件的作用以及信号经过放大电路后的输出状态,并且可以灵活运用到实际电子产品电路中,能够正确分析其功能及作用范围。 5.2.1 场效应管放大电路的基本结构 场效应管与晶体管一样,也具有放大作用,但与普通晶体管是电流控制型器件相反,场效应管是电压控制型器件。它具有输入阻抗高、噪声低的特点。 场效应管的3个电极,即栅极、源极和漏极分别相当于晶体管的基极、发射极和集电极。图5-21所示是场效应管的3种组态电路,即共源极
  • 能 力 目 标 重点掌握场效应管放大电路的结构及功能特点,能够正确分析和识读放大电路中各种关键元器件的作用以及信号经过放大电路后的输出状态,并且可以灵活运用到实际电子产品电路中,能够正确分析其功能及作用范围。 5.2.1 场效应管放大电路的基本结构 场效应管与晶体管一样,也具有放大作用,但与普通晶体管是电流控制型器件相反,场效应管是电压控制型器件。它具有输入阻抗高、噪声低的特点。 场效应管的3个电极,即栅极、源极和漏极分别相当于晶体管的基极、发射极和集电极。图5-21所示是场效应管的3种组态电路,即共源极 >>
  • 来源:gumubook.eefocus.com/book/09-03/8331406010345.html
  • 是_________ 放大电路的反馈系数。 A. 电流串联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电压并联负反馈 D. 电流并联负反馈 18.在深度负反馈下,闭环增益 几乎与开环增益 无关,因此可省去正向放大通道,只留下反馈网络,以获得稳定的闭环增益。 A. 正确 B. 错误 19.在深度负反馈下,闭环增益 与管子的参数几乎无关,因此可任意选用管子组成放大电路。 A.
  • 是_________ 放大电路的反馈系数。 A. 电流串联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电压并联负反馈 D. 电流并联负反馈 18.在深度负反馈下,闭环增益 几乎与开环增益 无关,因此可省去正向放大通道,只留下反馈网络,以获得稳定的闭环增益。 A. 正确 B. 错误 19.在深度负反馈下,闭环增益 与管子的参数几乎无关,因此可任意选用管子组成放大电路。 A. >>
  • 来源:web.lpssy.edu.cn/jpkc/dzjs/xiti/xiti.htm
  • (1)写出直流负载线的方程为:Uds=Ed-Id(Rd+Rs)=15-3.2Id 令ID=0,则UDS=15伏,在横坐标上标出N点,又令UDS=0,得ID=4.7毫安,在纵坐标上标出M点,将M、连接成直线,则MN就是直流负载线。 (2)画栅漏特性(转移特性):根据负载线与各条漏极特性曲线的交点坐标,画出如下图B左边所示的ID=f(UGS)曲线称为栅漏特性。 (3)通过栅漏特性坐标原点作Tga=1/Rs的栅极回路负载线,它与栅漏特性相交于Q,再过Q点作横轴平行线,与栅漏负载线相交于Q。由静态工作点Q和Q
  • (1)写出直流负载线的方程为:Uds=Ed-Id(Rd+Rs)=15-3.2Id 令ID=0,则UDS=15伏,在横坐标上标出N点,又令UDS=0,得ID=4.7毫安,在纵坐标上标出M点,将M、连接成直线,则MN就是直流负载线。 (2)画栅漏特性(转移特性):根据负载线与各条漏极特性曲线的交点坐标,画出如下图B左边所示的ID=f(UGS)曲线称为栅漏特性。 (3)通过栅漏特性坐标原点作Tga=1/Rs的栅极回路负载线,它与栅漏特性相交于Q,再过Q点作横轴平行线,与栅漏负载线相交于Q。由静态工作点Q和Q >>
  • 来源:www.dianlut.com/dianzi/yuanjian/2009/1118/5556.html
  • SPC2 6安培太阳能中心 (三)2002年库克湾福雷斯特 介绍该SPC2是一个太阳能中心,它可以用来处理全 12伏特的小功率太阳能供电设备的功能。它包含一个光伏充电控制器和一个低电压负载断开电路。低电压断开了一个负载,开关,和一个电池低电压指示器。通过使用作为一个中心SPC2 太阳能供电设备,电池寿命长是有保证的。该SPC2主要是设计为一个太阳能照明控制器它可用于功率无线电设备和其他高电容负载,一小开关和电路改造(中虚线所示的示意图)。 该电路设计具有以下目标: 单板智能电灯开关。 模拟与维修简单方便
  • SPC2 6安培太阳能中心 (三)2002年库克湾福雷斯特 介绍该SPC2是一个太阳能中心,它可以用来处理全 12伏特的小功率太阳能供电设备的功能。它包含一个光伏充电控制器和一个低电压负载断开电路。低电压断开了一个负载,开关,和一个电池低电压指示器。通过使用作为一个中心SPC2 太阳能供电设备,电池寿命长是有保证的。该SPC2主要是设计为一个太阳能照明控制器它可用于功率无线电设备和其他高电容负载,一小开关和电路改造(中虚线所示的示意图)。 该电路设计具有以下目标: 单板智能电灯开关。 模拟与维修简单方便 >>
  • 来源:www.tech-domain.com/forum.php?mod=viewthread&action=printable&tid=26470
  • 实验电路如图2.5.2所示。2SC3320SC按表2.5.2内容进行实验并记录。 图2.5.2 反相比例放大电路  表2.5.2 反相比例放大电路实验数据记录表  同相比例放大电路 实验电路如图2.5.3所示。按表2.5.3内容进行实验并记录。 图2.5.3 同相比例放大电路 表2.5.3 同相比例放大电路实验数据记录表
  • 实验电路如图2.5.2所示。2SC3320SC按表2.5.2内容进行实验并记录。 图2.5.2 反相比例放大电路 表2.5.2 反相比例放大电路实验数据记录表 同相比例放大电路 实验电路如图2.5.3所示。按表2.5.3内容进行实验并记录。 图2.5.3 同相比例放大电路 表2.5.3 同相比例放大电路实验数据记录表 >>
  • 来源:www.51dzw.com/embed/embed_92351.html
  • 变压器铁芯的选择:业余制作对变压器铁心要求并不严格。不过硅钢片最好选用薄而 质地脆的,或者采用铁氧体磁心。漆包线用高强度的,绕线需用绕线机紧密平绕。 安插硅钢片时要严格平整。初级绕组两端电压与铁心截面积和工作频率等参数的 关系可以用公式表示如下:V=4.4410-8SKFBN 式中 S --- 铁心截面积(平方厘米); K --- 硅钢片间隙系数(0.
  • 变压器铁芯的选择:业余制作对变压器铁心要求并不严格。不过硅钢片最好选用薄而 质地脆的,或者采用铁氧体磁心。漆包线用高强度的,绕线需用绕线机紧密平绕。 安插硅钢片时要严格平整。初级绕组两端电压与铁心截面积和工作频率等参数的 关系可以用公式表示如下:V=4.4410-8SKFBN 式中 S --- 铁心截面积(平方厘米); K --- 硅钢片间隙系数(0. >>
  • 来源:www.dzdiy.com/html/200801/28/power-inverter20080128134516.htm
  • 功放电路主要应用于大功率AV电路中。如图所示为100W的MOSFET功放电路。该电路的输入级采用JEFT 输入型运放TL071,其输入阻抗大、转换速率高。VTl和VT3为运放TL071的互补恒流源负载。VT4和VT5组成典型的推动级,其线性好、响应快。输出级VT6和VT7采用MOSFET管,其音色优美,放大倍数约为5。C1选用金属化聚丙烯电容,以避免产生失真。该放大器的技术指标为;全功率时的频响为15Hz~125kHz,转换速率为25V/s,输出噪声-95dB,阻尼系数大于400(8负载)。       
  • 功放电路主要应用于大功率AV电路中。如图所示为100W的MOSFET功放电路。该电路的输入级采用JEFT 输入型运放TL071,其输入阻抗大、转换速率高。VTl和VT3为运放TL071的互补恒流源负载。VT4和VT5组成典型的推动级,其线性好、响应快。输出级VT6和VT7采用MOSFET管,其音色优美,放大倍数约为5。C1选用金属化聚丙烯电容,以避免产生失真。该放大器的技术指标为;全功率时的频响为15Hz~125kHz,转换速率为25V/s,输出噪声-95dB,阻尼系数大于400(8负载)。        >>
  • 来源:www.dzsc.com/data/circuit-17076.html
  • 1SIS 771工程样板,目光投向低端消费群  如同VIA一样,SIS矽统似乎也是一个久违的品牌。而这个从486开始便紧随Intel,AMD等处理器大厂之后的品牌,却无时不刻并适时地推出每一个时代所需要的产品。这其中包括了历代的主板芯片组,整合图形芯片组,图形芯片以及音频/网络芯片等。临近年末,当我们看惯了Intel的P965,975X;Intel的G965/Q965系列芯片组;Nvidia完全为Conroe平台打造的nForce 680i系列,期待着ATI的RD600之时。一款采用SIS 771芯片组的
  • 1SIS 771工程样板,目光投向低端消费群 如同VIA一样,SIS矽统似乎也是一个久违的品牌。而这个从486开始便紧随Intel,AMD等处理器大厂之后的品牌,却无时不刻并适时地推出每一个时代所需要的产品。这其中包括了历代的主板芯片组,整合图形芯片组,图形芯片以及音频/网络芯片等。临近年末,当我们看惯了Intel的P965,975X;Intel的G965/Q965系列芯片组;Nvidia完全为Conroe平台打造的nForce 680i系列,期待着ATI的RD600之时。一款采用SIS 771芯片组的 >>
  • 来源:article.pchome.net/content-145692-all.html
  •    本书与西安电子科技大学出版社出版的面向21世纪高等职业技术教育电子电工类系列教材《 模拟电子技术(修订版)》(周雪主编)一书相配套(读者也可单独使用本书)。 书中总结了教材中每一节教学目标的内容, 并给出适量的课内测试题和课外测试题供评测与自测, 还给出了教材中的全部习题的解答。 ?
  •    本书与西安电子科技大学出版社出版的面向21世纪高等职业技术教育电子电工类系列教材《 模拟电子技术(修订版)》(周雪主编)一书相配套(读者也可单独使用本书)。 书中总结了教材中每一节教学目标的内容, 并给出适量的课内测试题和课外测试题供评测与自测, 还给出了教材中的全部习题的解答。 ? >>
  • 来源:culture.yntv.cn/category/2081101/2006/07/29/2006-07-29_366849_2081101.shtml