• 能 力 目 标 重点掌握晶体管放大电路的结构及功能特点,能够正确分析和识读放大电路中各种关键元器件的作用以及信号的输出状态,并且可以将其灵活运用到实际产品电路中,能够正确分析出其功能及作用范围。 由NPN型晶体管和PNP型晶体管构成的基本放大器单元电路各有3种,即共发射极放大器、共集电极放大器和共基极放大器。 5.
  • 能 力 目 标 重点掌握晶体管放大电路的结构及功能特点,能够正确分析和识读放大电路中各种关键元器件的作用以及信号的输出状态,并且可以将其灵活运用到实际产品电路中,能够正确分析出其功能及作用范围。 由NPN型晶体管和PNP型晶体管构成的基本放大器单元电路各有3种,即共发射极放大器、共集电极放大器和共基极放大器。 5. >>
  • 来源:www2.eefocus.com/book/09-03/8331406010346.html
  • 2.4.1使用NPN晶体管与负电源的电路 图2.26是使用了NPN晶体管与负电源的共发射极放大电路。只有在负电源的情况下,才必须采用该电路。  图2.26使用NPN晶体管与负电源的放大电路 即使使用负电源,基本的电路结构却完全没有变化。与使用正电源电路的不同之处,在于正电源为GND,GND成为负电源。而在使用负电源的电路中,必须注意电解电容的极性。 在图2.
  • 2.4.1使用NPN晶体管与负电源的电路 图2.26是使用了NPN晶体管与负电源的共发射极放大电路。只有在负电源的情况下,才必须采用该电路。 图2.26使用NPN晶体管与负电源的放大电路 即使使用负电源,基本的电路结构却完全没有变化。与使用正电源电路的不同之处,在于正电源为GND,GND成为负电源。而在使用负电源的电路中,必须注意电解电容的极性。 在图2. >>
  • 来源:eelab.eefocus.com/book/08-08/415526030856.html
  • 无论是从DxOMark评分还是口碑,小米MIX 2S都是小米历代最强的拍照手机。在短短的1年半中,小米MIX系列手机的相机跃升跨度,甚至比手机行业8年来的平均提升还大。我们现在就来看看小米MIX 2S的相机究竟能去到什么水平。 这次的对手包括前代小米MIX 2、经典拍照标杆iPhone X和三星Galaxy S9+(G965N,韩版,S5K2L3)。全文拼合了4台机器33个场景,共67张对比样张,希望能帮助大家了解小米MIX 2S现在的实际排位。 样张按HDR与副摄特性、白天、灯光、弱光/极弱光、副摄5个
  • 无论是从DxOMark评分还是口碑,小米MIX 2S都是小米历代最强的拍照手机。在短短的1年半中,小米MIX系列手机的相机跃升跨度,甚至比手机行业8年来的平均提升还大。我们现在就来看看小米MIX 2S的相机究竟能去到什么水平。 这次的对手包括前代小米MIX 2、经典拍照标杆iPhone X和三星Galaxy S9+(G965N,韩版,S5K2L3)。全文拼合了4台机器33个场景,共67张对比样张,希望能帮助大家了解小米MIX 2S现在的实际排位。 样张按HDR与副摄特性、白天、灯光、弱光/极弱光、副摄5个 >>
  • 来源:www.igao7.com/news/201804/0DazHj2k6LzZ96c4.html
  • 拍照体验方面,iPhone X依旧是无法撼动的存在,HDR和夜景多帧合成的速度、快门响应、成片率都无可挑剔,甚至S9+和它都有一定的差距。而小米8的拍照体验,比小米MIX 2S略有提升,取景的果冻和拖影略有改善,但依旧是中等偏下的水准。 虽然小米的弱光取景亮度已经追上三星和苹果,功能和交互上也没什么毛病,对焦成功率和成片率也没落后S9+太多,但成片速度和快门响应较慢,一旦触发多帧合成,快门响应和成片速度就会明显下降,让人不禁想起几年前那个成片很好但拍照体验渣渣的LG。另外,小米8这个测试版系统中,虚化样
  • 拍照体验方面,iPhone X依旧是无法撼动的存在,HDR和夜景多帧合成的速度、快门响应、成片率都无可挑剔,甚至S9+和它都有一定的差距。而小米8的拍照体验,比小米MIX 2S略有提升,取景的果冻和拖影略有改善,但依旧是中等偏下的水准。 虽然小米的弱光取景亮度已经追上三星和苹果,功能和交互上也没什么毛病,对焦成功率和成片率也没落后S9+太多,但成片速度和快门响应较慢,一旦触发多帧合成,快门响应和成片速度就会明显下降,让人不禁想起几年前那个成片很好但拍照体验渣渣的LG。另外,小米8这个测试版系统中,虚化样 >>
  • 来源:www.igao7.com/news/201806/HRS3l4zBMtGwZQ6a.html?spm=a2s0r.10291878.0.0
  • 收购范围包括: 一电子零件:IC,二三极管,内存,单片机,模块,显卡,网卡,芯片,家电IC、电脑IC、通讯IC、数码IC、安防IC、军工IC, K9F系列、南北桥、手机IC、电脑周边IC、电视机IC、ATMEL/PIC系列单片机、SAA系列、XC系列、RT系列、TDA系列、TA系列,手机主控IC,内存卡、字库、蓝牙芯片、功放IC、电解电容、钽电容、贴片电容、晶振、变压器、LED发光管、 继电器.
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  • 来源:tj.jiaoyi.dqccc.com/wupinjiaoyi/detail-4606789.html
  • 共发射极放大电路 上图中C1、C2分别是输入、输出耦合电容,Rb为基极偏置电阻,Rc为集电极负载电阻,VT为npn三极管,输入电压为u1、发射结输入电压为u2、集电极负载电阻Rc两端电压为u3、集电极发射极之间的电压为u4、最后的输出电压为u5,基极电流为ib,集电极电流为ic,电源为Ec,该电路属于典型的、基本的共射放大电路,也即输入和输出的公共端为发射极。 我们通过选择合适的电路元件参数,使其发射结正偏、集电结反偏(Uc>Ub>0),那么该电路就工作在放大状态,输入、输出电流满足ic=ib关系,也即
  • 共发射极放大电路 上图中C1、C2分别是输入、输出耦合电容,Rb为基极偏置电阻,Rc为集电极负载电阻,VT为npn三极管,输入电压为u1、发射结输入电压为u2、集电极负载电阻Rc两端电压为u3、集电极发射极之间的电压为u4、最后的输出电压为u5,基极电流为ib,集电极电流为ic,电源为Ec,该电路属于典型的、基本的共射放大电路,也即输入和输出的公共端为发射极。 我们通过选择合适的电路元件参数,使其发射结正偏、集电结反偏(Uc>Ub>0),那么该电路就工作在放大状态,输入、输出电流满足ic=ib关系,也即 >>
  • 来源:www.sddgks.com/ruodian/dianjishu/44798.html
  • 电路如图所示。它包括音频拾音及放大电路、灯控电路和交流降压及整流电路。BM为CRZ2型驻极体电容话筒,它可将检拾到的声音信号转换为电信号,经VT1放大器放大后加至射极跟随器VT2,并加至LC181的整流放大器的输入UIN端5脚,对其内部的压控振荡器进行压控调制。
  • 电路如图所示。它包括音频拾音及放大电路、灯控电路和交流降压及整流电路。BM为CRZ2型驻极体电容话筒,它可将检拾到的声音信号转换为电信号,经VT1放大器放大后加至射极跟随器VT2,并加至LC181的整流放大器的输入UIN端5脚,对其内部的压控振荡器进行压控调制。 >>
  • 来源:diagram.weeqoo.com/2007/10/2007101716543216592.html
  • 就是找一个交流接触器的线圈 两面做两厚铁片当两磁极 中间用一方铁 转一孔 用一罗丝一窜 固定好 接上电源线 就好了  自制的消磁器磁力的大小不一,但首先是千万不能漏电要注意安全。 另外还要注意在使用中消磁器不能过热,否则要及时断电。 一般使用步骤是,从离开盘机磁头一米左右打开消磁器电源、渐渐的移动到要消磁的磁头处, 在磁头和其他需要消磁的机件处,上下左右进行消磁,每个机件大约需要消磁20秒左右, 消磁器完成后,渐渐的将消磁器移动到一米外再断电。 自制的关键是材料,必须是软磁物质!其实知道消磁原理后,至少还
  • 就是找一个交流接触器的线圈 两面做两厚铁片当两磁极 中间用一方铁 转一孔 用一罗丝一窜 固定好 接上电源线 就好了 自制的消磁器磁力的大小不一,但首先是千万不能漏电要注意安全。 另外还要注意在使用中消磁器不能过热,否则要及时断电。 一般使用步骤是,从离开盘机磁头一米左右打开消磁器电源、渐渐的移动到要消磁的磁头处, 在磁头和其他需要消磁的机件处,上下左右进行消磁,每个机件大约需要消磁20秒左右, 消磁器完成后,渐渐的将消磁器移动到一米外再断电。 自制的关键是材料,必须是软磁物质!其实知道消磁原理后,至少还 >>
  • 来源:app.zuojiaju.com/forum.php?mod=viewthread&tid=224043
  • 拍照体验方面,iPhone X依旧是无法撼动的存在,HDR和夜景多帧合成的速度、快门响应、成片率都无可挑剔,甚至S9+和它都有一定的差距。而小米8的拍照体验,比小米MIX 2S略有提升,取景的果冻和拖影略有改善,但依旧是中等偏下的水准。 虽然小米的弱光取景亮度已经追上三星和苹果,功能和交互上也没什么毛病,对焦成功率和成片率也没落后S9+太多,但成片速度和快门响应较慢,一旦触发多帧合成,快门响应和成片速度就会明显下降,让人不禁想起几年前那个成片很好但拍照体验渣渣的LG。另外,小米8这个测试版系统中,虚化样
  • 拍照体验方面,iPhone X依旧是无法撼动的存在,HDR和夜景多帧合成的速度、快门响应、成片率都无可挑剔,甚至S9+和它都有一定的差距。而小米8的拍照体验,比小米MIX 2S略有提升,取景的果冻和拖影略有改善,但依旧是中等偏下的水准。 虽然小米的弱光取景亮度已经追上三星和苹果,功能和交互上也没什么毛病,对焦成功率和成片率也没落后S9+太多,但成片速度和快门响应较慢,一旦触发多帧合成,快门响应和成片速度就会明显下降,让人不禁想起几年前那个成片很好但拍照体验渣渣的LG。另外,小米8这个测试版系统中,虚化样 >>
  • 来源:www.igao7.com/news/201806/HRS3l4zBMtGwZQ6a.html?spm=a2s0r.10291878.0.0
  • 拍照体验方面,iPhone X依旧是无法撼动的存在,HDR和夜景多帧合成的速度、快门响应、成片率都无可挑剔,甚至S9+和它都有一定的差距。而小米8的拍照体验,比小米MIX 2S略有提升,取景的果冻和拖影略有改善,但依旧是中等偏下的水准。 虽然小米的弱光取景亮度已经追上三星和苹果,功能和交互上也没什么毛病,对焦成功率和成片率也没落后S9+太多,但成片速度和快门响应较慢,一旦触发多帧合成,快门响应和成片速度就会明显下降,让人不禁想起几年前那个成片很好但拍照体验渣渣的LG。另外,小米8这个测试版系统中,虚化样
  • 拍照体验方面,iPhone X依旧是无法撼动的存在,HDR和夜景多帧合成的速度、快门响应、成片率都无可挑剔,甚至S9+和它都有一定的差距。而小米8的拍照体验,比小米MIX 2S略有提升,取景的果冻和拖影略有改善,但依旧是中等偏下的水准。 虽然小米的弱光取景亮度已经追上三星和苹果,功能和交互上也没什么毛病,对焦成功率和成片率也没落后S9+太多,但成片速度和快门响应较慢,一旦触发多帧合成,快门响应和成片速度就会明显下降,让人不禁想起几年前那个成片很好但拍照体验渣渣的LG。另外,小米8这个测试版系统中,虚化样 >>
  • 来源:www.igao7.com/news/201806/HRS3l4zBMtGwZQ6a.html
  • 拍照体验方面,iPhone X依旧是无法撼动的存在,HDR和夜景多帧合成的速度、快门响应、成片率都无可挑剔,甚至S9+和它都有一定的差距。而小米8的拍照体验,比小米MIX 2S略有提升,取景的果冻和拖影略有改善,但依旧是中等偏下的水准。 虽然小米的弱光取景亮度已经追上三星和苹果,功能和交互上也没什么毛病,对焦成功率和成片率也没落后S9+太多,但成片速度和快门响应较慢,一旦触发多帧合成,快门响应和成片速度就会明显下降,让人不禁想起几年前那个成片很好但拍照体验渣渣的LG。另外,小米8这个测试版系统中,虚化样
  • 拍照体验方面,iPhone X依旧是无法撼动的存在,HDR和夜景多帧合成的速度、快门响应、成片率都无可挑剔,甚至S9+和它都有一定的差距。而小米8的拍照体验,比小米MIX 2S略有提升,取景的果冻和拖影略有改善,但依旧是中等偏下的水准。 虽然小米的弱光取景亮度已经追上三星和苹果,功能和交互上也没什么毛病,对焦成功率和成片率也没落后S9+太多,但成片速度和快门响应较慢,一旦触发多帧合成,快门响应和成片速度就会明显下降,让人不禁想起几年前那个成片很好但拍照体验渣渣的LG。另外,小米8这个测试版系统中,虚化样 >>
  • 来源:www.igao7.com/news/201806/HRS3l4zBMtGwZQ6a.html
  • 迎家就将中高阶的C368与C388一并送来评测,由于两者的最大差异仅在于输出功率(后文详述),本文就只以C388为主角做音乐重播表现之说明,C368只在音场整体的透明感与深度稍逊一点,中高频的密度与低频的重量感也略减一些,但是对于不是使用大型落地音箱的用家来说,这些部分并不会造成显着之差距,但C368只有C388约三分之二的价格无疑更有吸引力。 Classic系列旗舰机种C388简洁大器 包括C388在内的NAD Classic系列综合放大器外型十分简洁,前面板中央的彩色显示幕不仅可显示丰富资讯,也让器
  • 迎家就将中高阶的C368与C388一并送来评测,由于两者的最大差异仅在于输出功率(后文详述),本文就只以C388为主角做音乐重播表现之说明,C368只在音场整体的透明感与深度稍逊一点,中高频的密度与低频的重量感也略减一些,但是对于不是使用大型落地音箱的用家来说,这些部分并不会造成显着之差距,但C368只有C388约三分之二的价格无疑更有吸引力。 Classic系列旗舰机种C388简洁大器 包括C388在内的NAD Classic系列综合放大器外型十分简洁,前面板中央的彩色显示幕不仅可显示丰富资讯,也让器 >>
  • 来源:www.hifidiy.net/index.php?s=/Home/Marticle/detail/id/17328/p/2.html
  • 前面都讲了一些计算的东西,这次总结一些设计法则。 栅极电阻:其目的是改善控制脉冲上升沿和下降沿的斜率,并且防止寄生电感与电容振荡,限制IGBT集电极电压的尖脉冲值。 栅极电阻值小充放电较快,能减小开关时间和开关损耗,增强工作的耐固性,避免带来因dv/dt的误导通。缺点是电路中存在杂散电感在IGBT上产生大的电压尖峰,使得栅极承受噪声能力小,易产生寄生振荡。 栅极电阻值大充放电较慢,开关时间和开关损耗增大。
  • 前面都讲了一些计算的东西,这次总结一些设计法则。 栅极电阻:其目的是改善控制脉冲上升沿和下降沿的斜率,并且防止寄生电感与电容振荡,限制IGBT集电极电压的尖脉冲值。 栅极电阻值小充放电较快,能减小开关时间和开关损耗,增强工作的耐固性,避免带来因dv/dt的误导通。缺点是电路中存在杂散电感在IGBT上产生大的电压尖峰,使得栅极承受噪声能力小,易产生寄生振荡。 栅极电阻值大充放电较慢,开关时间和开关损耗增大。 >>
  • 来源:www.acdianyuan.com/hangyexinwen/200.html
  • 编辑点评:全域快门的好处是可以避免卷帘快门在拍摄运动物体时产生的果冻效应,但是缺点会由于增加的电荷存储器导致灵敏度大幅降低,所以就目前来讲全域快门还无法取代卷帘快门。但是CMOSIS的这块CMOS不仅有全域快门更有对8K分辨率的支持,也就是说继哈苏推出首款中画幅无反之后,在视频领域徕卡也可能赶在日系之前,加上最近日系影像厂商的集体低迷,或许影像市场的天平将又一次偏向欧洲。 更多精彩内容,请关注: 数码影像频道:http://dc.
  • 编辑点评:全域快门的好处是可以避免卷帘快门在拍摄运动物体时产生的果冻效应,但是缺点会由于增加的电荷存储器导致灵敏度大幅降低,所以就目前来讲全域快门还无法取代卷帘快门。但是CMOSIS的这块CMOS不仅有全域快门更有对8K分辨率的支持,也就是说继哈苏推出首款中画幅无反之后,在视频领域徕卡也可能赶在日系之前,加上最近日系影像厂商的集体低迷,或许影像市场的天平将又一次偏向欧洲。 更多精彩内容,请关注: 数码影像频道:http://dc. >>
  • 来源:digi.163.com/16/1108/11/C5BJHQ6B001680NE_mobile.html
  • 摘要:  讨论一种高效率功率放大电路, 不但可以节约电能, 更重要的是可以降低功放管的工作温度, 延长功率放大电路的使用寿命。 在现实生活中, 功率放大器被应用于各种各样的场合, 在电视机中为显像管提供电子束偏转的扫描功率,在收音机和扩音机中为扬声器提供功率,在控制电机运动中为电机提供转动功率等等。这些功率放大器的电源利用率都不是很高,如在尽限利用的理想情况下,甲类放大器的电源利用率为50%,甲乙类放大器的电源利用率为78.
  • 摘要:  讨论一种高效率功率放大电路, 不但可以节约电能, 更重要的是可以降低功放管的工作温度, 延长功率放大电路的使用寿命。 在现实生活中, 功率放大器被应用于各种各样的场合, 在电视机中为显像管提供电子束偏转的扫描功率,在收音机和扩音机中为扬声器提供功率,在控制电机运动中为电机提供转动功率等等。这些功率放大器的电源利用率都不是很高,如在尽限利用的理想情况下,甲类放大器的电源利用率为50%,甲乙类放大器的电源利用率为78. >>
  • 来源:www.cndzz.com/diagram/4146_4248/216812.html
  • 拍照体验方面,iPhone X依旧是无法撼动的存在,HDR和夜景多帧合成的速度、快门响应、成片率都无可挑剔,甚至S9+和它都有一定的差距。而小米8的拍照体验,比小米MIX 2S略有提升,取景的果冻和拖影略有改善,但依旧是中等偏下的水准。 虽然小米的弱光取景亮度已经追上三星和苹果,功能和交互上也没什么毛病,对焦成功率和成片率也没落后S9+太多,但成片速度和快门响应较慢,一旦触发多帧合成,快门响应和成片速度就会明显下降,让人不禁想起几年前那个成片很好但拍照体验渣渣的LG。另外,小米8这个测试版系统中,虚化样
  • 拍照体验方面,iPhone X依旧是无法撼动的存在,HDR和夜景多帧合成的速度、快门响应、成片率都无可挑剔,甚至S9+和它都有一定的差距。而小米8的拍照体验,比小米MIX 2S略有提升,取景的果冻和拖影略有改善,但依旧是中等偏下的水准。 虽然小米的弱光取景亮度已经追上三星和苹果,功能和交互上也没什么毛病,对焦成功率和成片率也没落后S9+太多,但成片速度和快门响应较慢,一旦触发多帧合成,快门响应和成片速度就会明显下降,让人不禁想起几年前那个成片很好但拍照体验渣渣的LG。另外,小米8这个测试版系统中,虚化样 >>
  • 来源:www.igao7.com/news/201806/HRS3l4zBMtGwZQ6a.html?spm=a2s0r.10291878.0.0
  • *************************************************************** 电路如图所上 --------我的想法--------- 用PA0口来控制右边的继电器。 当PA0=0时候,光耦导通,将Q2 的B-E电压拉低 从而Q2截至; 当PA=1时候,光耦关闭,Q2基极链接DC12V,Q2导通 --------问题----------- 实际情况是PA为0或1的时候 LED一直亮,继电器一直不变化。当我改变电阻A 和 B 的时候,出现过LED闪烁一下,继
  • *************************************************************** 电路如图所上 --------我的想法--------- 用PA0口来控制右边的继电器。 当PA0=0时候,光耦导通,将Q2 的B-E电压拉低 从而Q2截至; 当PA=1时候,光耦关闭,Q2基极链接DC12V,Q2导通 --------问题----------- 实际情况是PA为0或1的时候 LED一直亮,继电器一直不变化。当我改变电阻A 和 B 的时候,出现过LED闪烁一下,继 >>
  • 来源:home.elecfans.com/forum.php?mod=viewthread&tid=514696&extra=page=1&ordertype=1