• 内置用于高边电力 MOSFET 驱动的浮动驱动电路 内置软启动功能 检测电流谐振偏移的功能(逐个脉冲) 死区时间自动调整功能 Brown in/Brown out 功能 保护功能  High Side驱动UVLO保护  外部锁定功能  过电压保护(OCP):根据过电流状态可将保护动作分为 3 级  过电压保护(OVP):锁定  过负载保护(OLP):锁定  过热保护(TSD):锁定
  • 内置用于高边电力 MOSFET 驱动的浮动驱动电路 内置软启动功能 检测电流谐振偏移的功能(逐个脉冲) 死区时间自动调整功能 Brown in/Brown out 功能 保护功能  High Side驱动UVLO保护  外部锁定功能  过电压保护(OCP):根据过电流状态可将保护动作分为 3 级  过电压保护(OVP):锁定  过负载保护(OLP):锁定  过热保护(TSD):锁定 >>
  • 来源:www.semicon.sanken-ele.co.jp/ctrl/ch/product/detail/SSC9522S/
  • STR-A6000 系列是将功率 MOSFET 和电流模式 PWM 控制器IC置于同一封装中的 PWM 型开关电源控制芯片。 为了实现低功耗及低待机功耗,内置启动电路和待机功能,正常工作时PWM 动作,在轻负载时自动切换至 Burst 振荡动作。具有丰富的保护功能,实现外置元件少、性价比高的电源系统。
  • STR-A6000 系列是将功率 MOSFET 和电流模式 PWM 控制器IC置于同一封装中的 PWM 型开关电源控制芯片。 为了实现低功耗及低待机功耗,内置启动电路和待机功能,正常工作时PWM 动作,在轻负载时自动切换至 Burst 振荡动作。具有丰富的保护功能,实现外置元件少、性价比高的电源系统。 >>
  • 来源:www.semicon.sanken-ele.co.jp/ctrl/ch/product/detail/STR-A6061HD/
  • DIP16封装 内置浮动驱动电路 内置软启动功能( 检测电流共振偏离功能 死区时间自动调整功能 Brown in/Brown out 功能 保护功能  外部锁定功能: 施加外部信号后,将强制执行锁定  过电流保护(OCP):根据过电流状态可将保护动作分为 3 级  过负载保护(OLP):锁定  过电压保护(OVP):锁定  过热保护(TSD):锁定
  • DIP16封装 内置浮动驱动电路 内置软启动功能( 检测电流共振偏离功能 死区时间自动调整功能 Brown in/Brown out 功能 保护功能  外部锁定功能: 施加外部信号后,将强制执行锁定  过电流保护(OCP):根据过电流状态可将保护动作分为 3 级  过负载保护(OLP):锁定  过电压保护(OVP):锁定  过热保护(TSD):锁定 >>
  • 来源:www.semicon.sanken-ele.co.jp/ctrl/ch/product/detail/SSC9512/
  • STR3A100 系列是将功率 MOSFET 和电流模式 PWM 控制器IC置于同一封装中的 PWM 型开关电源控制芯片。 为了实现低功耗及低待机功耗,内置启动电路和待机功能,正常工作时 PWM 动作,在轻负载时自动切换至 Burst 振荡动作。 具有丰富的保护功能,实现外置元件少、性价比高的电源系统。
  • STR3A100 系列是将功率 MOSFET 和电流模式 PWM 控制器IC置于同一封装中的 PWM 型开关电源控制芯片。 为了实现低功耗及低待机功耗,内置启动电路和待机功能,正常工作时 PWM 动作,在轻负载时自动切换至 Burst 振荡动作。 具有丰富的保护功能,实现外置元件少、性价比高的电源系统。 >>
  • 来源:www.semicon.sanken-ele.co.jp/ctrl/ch/product/detail/STR3A162HD/
  • STR3A100 系列是将功率 MOSFET 和电流模式 PWM 控制器IC置于同一封装中的 PWM 型开关电源控制芯片。 为了实现低功耗及低待机功耗,内置启动电路和待机功能,正常工作时 PWM 动作,在轻负载时自动切换至 Burst 振荡动作。 具有丰富的保护功能,实现外置元件少、性价比高的电源系统。
  • STR3A100 系列是将功率 MOSFET 和电流模式 PWM 控制器IC置于同一封装中的 PWM 型开关电源控制芯片。 为了实现低功耗及低待机功耗,内置启动电路和待机功能,正常工作时 PWM 动作,在轻负载时自动切换至 Burst 振荡动作。 具有丰富的保护功能,实现外置元件少、性价比高的电源系统。 >>
  • 来源:www.semicon.sanken-ele.co.jp/ctrl/ch/product/detail/STR3A152/
  • STR-W6000S 系列是将功率 MOSFET 和电流模式 PWM 控制IC内置于同一封装中的 PWM 型开关电源控制芯片。 为实现电源待机低功耗,控制部内置启动电路,同时通常动作时PWM 模式,轻负载时自动切换至 Burst 振荡动作,从而达到外置元件少, 低待机功耗,性价比高的电源系统。
  • STR-W6000S 系列是将功率 MOSFET 和电流模式 PWM 控制IC内置于同一封装中的 PWM 型开关电源控制芯片。 为实现电源待机低功耗,控制部内置启动电路,同时通常动作时PWM 模式,轻负载时自动切换至 Burst 振荡动作,从而达到外置元件少, 低待机功耗,性价比高的电源系统。 >>
  • 来源:www.semicon.sanken-ele.co.jp/ctrl/ch/product/detail/str-w6053s/
  • STR5A460系列是将功率 MOSFET 和电流模式型 PWM 控制集成电路置于同一封装中的非绝缘型开关电源功率集成电路。 广泛于用于商用电源输入的降压型变换器,也可对应极性反转的降压变换器。 支持低待机功耗,内置自动待机功能,通常动作时PWM 模式,轻负载时自动切换到 Burst 振荡工作,同时具有丰富的保护功能,可轻松打造构成零件少、性价比高的电源系统。
  • STR5A460系列是将功率 MOSFET 和电流模式型 PWM 控制集成电路置于同一封装中的非绝缘型开关电源功率集成电路。 广泛于用于商用电源输入的降压型变换器,也可对应极性反转的降压变换器。 支持低待机功耗,内置自动待机功能,通常动作时PWM 模式,轻负载时自动切换到 Burst 振荡工作,同时具有丰富的保护功能,可轻松打造构成零件少、性价比高的电源系统。 >>
  • 来源:www.semicon.sanken-ele.co.jp/ctrl/ch/product/detail/STR5A464D/
  • STR3A100 系列是将功率 MOSFET 和电流模式 PWM 控制器IC置于同一封装中的 PWM 型开关电源控制芯片。 为了实现低功耗及低待机功耗,内置启动电路和待机功能,正常工作时 PWM 动作,在轻负载时自动切换至 Burst 振荡动作。 具有丰富的保护功能,实现外置元件少、性价比高的电源系统。
  • STR3A100 系列是将功率 MOSFET 和电流模式 PWM 控制器IC置于同一封装中的 PWM 型开关电源控制芯片。 为了实现低功耗及低待机功耗,内置启动电路和待机功能,正常工作时 PWM 动作,在轻负载时自动切换至 Burst 振荡动作。 具有丰富的保护功能,实现外置元件少、性价比高的电源系统。 >>
  • 来源:www.semicon.sanken-ele.co.jp/ctrl/ch/product/detail/STR3A161HD/
  • 此款5V电源采用LM2995的转换器电路,可直接连接到220V 。要做到这一点,交流转换成直流电压通过二极管桥VD1,然后降低到40V。高于40 V的,我们不应该使用它,由于LM2995的最大输入电压不能超过 45V。晶体管T1和T2形成一个脉动压力振幅高达40V的齐纳二极管D1依赖。这种脉动电压,电容C1,这是稍微平滑。其次是芯片上的下变换器输出电压稳定,定义应用芯片:LM2575 - 5 5V,这将是平等的。肖特基二极管D2,L1,C2和C3的标准芯片的捆扎。往往需要供应电力消费低电压220V。您可以
  • 此款5V电源采用LM2995的转换器电路,可直接连接到220V 。要做到这一点,交流转换成直流电压通过二极管桥VD1,然后降低到40V。高于40 V的,我们不应该使用它,由于LM2995的最大输入电压不能超过 45V。晶体管T1和T2形成一个脉动压力振幅高达40V的齐纳二极管D1依赖。这种脉动电压,电容C1,这是稍微平滑。其次是芯片上的下变换器输出电压稳定,定义应用芯片:LM2575 - 5 5V,这将是平等的。肖特基二极管D2,L1,C2和C3的标准芯片的捆扎。往往需要供应电力消费低电压220V。您可以 >>
  • 来源:www.powerbaike.com/switch/052314.html
  • 自动待机功能  -无负载时输入功率125 mW (Pin = 0.27 W)  -待机时Burst动作  - Soft On/Soft Off功能可抑制变压器噪声 可对应宽范围输入电压规格 High Side功率MOSFET的悬浮驱动回路 软启动功能 电流共振异常检测功能 Reset检测功能 死区时间自动调整功能 Brown inBrown out功能 内置启动电路 输入电解电容放电功能 保护功能  - High Side驱动UVLO保护  -过电流保护(OCP):2阶段的保护动作  -输出功率限制(LP
  • 自动待机功能  -无负载时输入功率125 mW (Pin = 0.27 W)  -待机时Burst动作  - Soft On/Soft Off功能可抑制变压器噪声 可对应宽范围输入电压规格 High Side功率MOSFET的悬浮驱动回路 软启动功能 电流共振异常检测功能 Reset检测功能 死区时间自动调整功能 Brown inBrown out功能 内置启动电路 输入电解电容放电功能 保护功能  - High Side驱动UVLO保护  -过电流保护(OCP):2阶段的保护动作  -输出功率限制(LP >>
  • 来源:www.semicon.sanken-ele.co.jp/ctrl/ch/product/detail/SSC3S910/
  • 无辅助绕组结构  (采用感应电流检测方式) 待机功耗低  (采用不检测输入电压方式) 最小OFF时间限制功能(防止频率上升) 高精度过电流检测: 0.60 V  5 % 保护功能  过电流保护 (OCP): 逐个脉冲检测  输出过电压保护 (OVP):自动恢复  FB引脚低输入电压保护(FB_UVP):自动恢复  带滞后的过热保护 (TSD):自动恢复
  • 无辅助绕组结构  (采用感应电流检测方式) 待机功耗低  (采用不检测输入电压方式) 最小OFF时间限制功能(防止频率上升) 高精度过电流检测: 0.60 V 5 % 保护功能  过电流保护 (OCP): 逐个脉冲检测  输出过电压保护 (OVP):自动恢复  FB引脚低输入电压保护(FB_UVP):自动恢复  带滞后的过热保护 (TSD):自动恢复 >>
  • 来源:www.semicon.sanken-ele.co.jp/ctrl/ch/product/detail/SSC2005SC/
  • STR-W6000S 系列是将功率 MOSFET 和电流模式 PWM 控制IC内置于同一封装中的 PWM 型开关电源控制芯片。 为实现电源待机低功耗,控制部内置启动电路,同时通常动作时PWM 模式,轻负载时自动切换至 Burst 振荡动作,从而达到外置元件少, 低待机功耗,性价比高的电源系统。
  • STR-W6000S 系列是将功率 MOSFET 和电流模式 PWM 控制IC内置于同一封装中的 PWM 型开关电源控制芯片。 为实现电源待机低功耗,控制部内置启动电路,同时通常动作时PWM 模式,轻负载时自动切换至 Burst 振荡动作,从而达到外置元件少, 低待机功耗,性价比高的电源系统。 >>
  • 来源:www.semicon.sanken-ele.co.jp/ctrl/ch/product/detail/str-w6053s/
  • 简介: 本文是美国电源集成公司的LNK585GG的数据表,它是属于集成电路(IC) PMIC - AC-DC 转换器,离线开关。 具体规格参数如下:包装:管件 可替代的包装;系列:LinkZero-AX;输出隔离:任意一种;频率范围:93kHz ~ 107kHz;电压-输入:85 ~ 265 VAC;
  • 简介: 本文是美国电源集成公司的LNK585GG的数据表,它是属于集成电路(IC) PMIC - AC-DC 转换器,离线开关。 具体规格参数如下:包装:管件 可替代的包装;系列:LinkZero-AX;输出隔离:任意一种;频率范围:93kHz ~ 107kHz;电压-输入:85 ~ 265 VAC; >>
  • 来源:datasheets.eccn.com/device/detail/dev-43-785-3323797.html
  • vivo于近日发布了全新旗舰Xplay5系列手机,Xplay5采用了双曲面屏+一体化金属机身的设计,外观相当惊艳,并采用了vivo全新的HiFi 3.0系统,考虑到以往vivo在音频方面的优异表现,我们毫无疑问对Xplay5的音质有着很高的期待,现在就请跟随我们的脚步来看看vivo超强音质的奥秘在哪里吧。  PS:vivo Xplay5的结构较为复杂,很多零部件拆解后很难还原,请普通用户不要轻易尝试。  在开始拆解之前记得拔出SIM插槽。  Xplay5有着vivo的一贯设计风格,底部USB接口处有两个梅
  • vivo于近日发布了全新旗舰Xplay5系列手机,Xplay5采用了双曲面屏+一体化金属机身的设计,外观相当惊艳,并采用了vivo全新的HiFi 3.0系统,考虑到以往vivo在音频方面的优异表现,我们毫无疑问对Xplay5的音质有着很高的期待,现在就请跟随我们的脚步来看看vivo超强音质的奥秘在哪里吧。 PS:vivo Xplay5的结构较为复杂,很多零部件拆解后很难还原,请普通用户不要轻易尝试。 在开始拆解之前记得拔出SIM插槽。 Xplay5有着vivo的一贯设计风格,底部USB接口处有两个梅 >>
  • 来源:www.jb51.net/shouji/436365.html?pc
  •   前瞻科技 12 月 30 日讯,提到三星自家的处理器,你可能会想到 Exynos7420,Exynos8890 以及不久前传出的 Exynos8870。Exynos7420 已经被用于三星 S6 和 Note5 等旗舰手机,其优越的性能获得不少口碑。   Exynos8890 则是三星下一代旗舰处理器,预计将被用于明年 2 月发布的 Galaxy S7。而最近传出的 Exynos8870,据说是 Exynos8890 的精简版,是三星专用于外销的处理器,据传魅族 PRO 6 和 PRO 6mini
  •   前瞻科技 12 月 30 日讯,提到三星自家的处理器,你可能会想到 Exynos7420,Exynos8890 以及不久前传出的 Exynos8870。Exynos7420 已经被用于三星 S6 和 Note5 等旗舰手机,其优越的性能获得不少口碑。   Exynos8890 则是三星下一代旗舰处理器,预计将被用于明年 2 月发布的 Galaxy S7。而最近传出的 Exynos8870,据说是 Exynos8890 的精简版,是三星专用于外销的处理器,据传魅族 PRO 6 和 PRO 6mini >>
  • 来源:mt.sohu.com/20151230/n433077231.shtml
  • 本实用新型公开了一种多电源域集成电路IC的静电放电ESD保护装置,包括在每个电源域的电源线和地线之间并联的钳位电路,其特征在于,该装置还包括第一ESD总线、第二ESD总线和第一电容;第一电源域的电源线至第n电源域的电源线均与第一ESD总线相连;第一电源域的地线至第n电源域的地线均与第二ESD总线相连;第一电容并联在第一ESD总线和第二ESD总线之间;其中,n是多电源域IC中的电源域个数。利用本实用新型能够提高多电源域IC的ESD防护能力。
  • 本实用新型公开了一种多电源域集成电路IC的静电放电ESD保护装置,包括在每个电源域的电源线和地线之间并联的钳位电路,其特征在于,该装置还包括第一ESD总线、第二ESD总线和第一电容;第一电源域的电源线至第n电源域的电源线均与第一ESD总线相连;第一电源域的地线至第n电源域的地线均与第二ESD总线相连;第一电容并联在第一ESD总线和第二ESD总线之间;其中,n是多电源域IC中的电源域个数。利用本实用新型能够提高多电源域IC的ESD防护能力。 >>
  • 来源:www.ljzip.com/TradingSell/Detail/19ccaf58-efe6-4315-bbcc-42fbb90b24f9
  • * 生产型企业可申请月结和货到付款. * 全场免运费(特殊商品除外). * 报价不含任何销售税,计算含税价请1.17. * 500元人民币以下订单,加收50元手续费. * 北京现货,当天发货;海外现货,集成电路电容电阻5-7天,连接器等 7-10天送达. * 产品图片仅供参考.
  • * 生产型企业可申请月结和货到付款. * 全场免运费(特殊商品除外). * 报价不含任何销售税,计算含税价请1.17. * 500元人民币以下订单,加收50元手续费. * 北京现货,当天发货;海外现货,集成电路电容电阻5-7天,连接器等 7-10天送达. * 产品图片仅供参考. >>
  • 来源:parts.oneic.com/1/power-integrations/lnk458kg.html