• 随着工业的发展,对于IGBT的电压等级和电流等级的要求也越来越高。目前国内外市场上IGBT电压等级最高为6500V,电流等级最大到3600A。对于中小功率应用场合,完全可以采用较高电压等级和较大电流等级的IGBT来满足对系统更高的要求,通常1700V和1000A的IGBT就可以满足要求,而且市场供应量充足,价格适中。但在高压大功率场合,若对IGBT的电压和电流要求接近市场上的较大值时,如6500V的IGBT,价格昂贵,且国外对中国有出口限制(不能用于军事用途),此时就要考虑采用IGBT并联和串联扩容。由于
  • 随着工业的发展,对于IGBT的电压等级和电流等级的要求也越来越高。目前国内外市场上IGBT电压等级最高为6500V,电流等级最大到3600A。对于中小功率应用场合,完全可以采用较高电压等级和较大电流等级的IGBT来满足对系统更高的要求,通常1700V和1000A的IGBT就可以满足要求,而且市场供应量充足,价格适中。但在高压大功率场合,若对IGBT的电压和电流要求接近市场上的较大值时,如6500V的IGBT,价格昂贵,且国外对中国有出口限制(不能用于军事用途),此时就要考虑采用IGBT并联和串联扩容。由于 >>
  • 来源:www.highsemi.com/qudon/204.html
  • 该电源采用半桥结构串联谐振逆变电路,主电路原理如图所示。在大功率IGBT谐振式逆变电路中,主电路的结构对整个产品的性能十分重要,由于电路中存在引线寄生电感,IGBT开关动作时在电感上激起的浪涌尖峰电压Ldi/dt不可忽视,由于本电源采用的是半桥逆变电路,相对全桥电路来说,将产生比全桥电路更大的di/dt。正确设计过压保护即缓冲电路,对IGBT的正常工作十分重要。如果缓冲电路设计不当,将造成缓冲电路损耗增大,会导致电路发热严重,容易损坏元件,不利于长期工作。为了给无功电流提供通路,ICBT必须反并联快速二极
  • 该电源采用半桥结构串联谐振逆变电路,主电路原理如图所示。在大功率IGBT谐振式逆变电路中,主电路的结构对整个产品的性能十分重要,由于电路中存在引线寄生电感,IGBT开关动作时在电感上激起的浪涌尖峰电压Ldi/dt不可忽视,由于本电源采用的是半桥逆变电路,相对全桥电路来说,将产生比全桥电路更大的di/dt。正确设计过压保护即缓冲电路,对IGBT的正常工作十分重要。如果缓冲电路设计不当,将造成缓冲电路损耗增大,会导致电路发热严重,容易损坏元件,不利于长期工作。为了给无功电流提供通路,ICBT必须反并联快速二极 >>
  • 来源:www.highsemi.com/sheji/687.html
  • 【主要用途】 调光器,电子式镇流器,电机驱动,断电保护器,照相机,开关器, 小型马达控制器,彩灯控制器,漏电保护器,灯具继电器激励器,逻辑 集成电路驱动,大功率可控硅门极驱动,摩托车点火器等线路功率控制。 封装形式:TO-252 包装规格:2500/卷,5000/盒。
  • 【主要用途】 调光器,电子式镇流器,电机驱动,断电保护器,照相机,开关器, 小型马达控制器,彩灯控制器,漏电保护器,灯具继电器激励器,逻辑 集成电路驱动,大功率可控硅门极驱动,摩托车点火器等线路功率控制。 封装形式:TO-252 包装规格:2500/卷,5000/盒。 >>
  • 来源:www.qy6.com/cpdq/showprod15794445.html
  •   3结语   当前在ABS设计中普遍采用的电磁阀驱动电路设计均以功率MOSFET为主,辅之以保护回路,隔离措施等以保证其可靠性,还要设计专门的自诊断回路以进行故障检测。虽然在具体电路的设计上分立方案有一定的灵活性,但成本和PCB空间的耗费较高;本方案采用ABS专用集成芯片TLE621O和L9349,集驱动和监测功能于一身,应用于ABS系统中能降低功耗,便于故障检测,提高可靠性,大大改善了整个系统的性能。
  •   3结语   当前在ABS设计中普遍采用的电磁阀驱动电路设计均以功率MOSFET为主,辅之以保护回路,隔离措施等以保证其可靠性,还要设计专门的自诊断回路以进行故障检测。虽然在具体电路的设计上分立方案有一定的灵活性,但成本和PCB空间的耗费较高;本方案采用ABS专用集成芯片TLE621O和L9349,集驱动和监测功能于一身,应用于ABS系统中能降低功耗,便于故障检测,提高可靠性,大大改善了整个系统的性能。 >>
  • 来源:www.edatop.com/ee/224304.html
  • 摘要:建立CCD通用测试平台有助于系统研究各类CCD器件的辐射效应及损伤机理。探讨了一种基于CPLD的线阵CCD通用驱动电路设计方法与实现途径。利用MAX2PLUSII开发系统,选用MAX7000S系列CPLD芯片,设计实现了核心驱动主控制器,用于读取外部存储器驱动文件,设置相关参数寄存器,并产生符合参数要求的驱动时序脉冲。在此方法的基础上,完成了基本驱动模块电路的设计。基本驱动模块电路输出波形的测试结果表明,这种设计方法是完全可行的。 关键词:CPLD;CCD;驱动时序;电路设计 随着CCD器件在空间遥
  • 摘要:建立CCD通用测试平台有助于系统研究各类CCD器件的辐射效应及损伤机理。探讨了一种基于CPLD的线阵CCD通用驱动电路设计方法与实现途径。利用MAX2PLUSII开发系统,选用MAX7000S系列CPLD芯片,设计实现了核心驱动主控制器,用于读取外部存储器驱动文件,设置相关参数寄存器,并产生符合参数要求的驱动时序脉冲。在此方法的基础上,完成了基本驱动模块电路的设计。基本驱动模块电路输出波形的测试结果表明,这种设计方法是完全可行的。 关键词:CPLD;CCD;驱动时序;电路设计 随着CCD器件在空间遥 >>
  • 来源:www.laogu.com/cms/xw_105800.htm
  • 1. TPS2390主要性能 (1)工作电压范围为-80~-36V。 (2)瞬态率可达-100V。 (3)具有可控的限流门限和电流慢变化率功能。 (4)具有使能控制输入端。 (5)具有故障定时器功能,可消除由于噪声引起的误报率。 (6)具有漏极开路输出式的故障检测输出端。 (7)构成应用电路时,外部仅需很少的几个元器件。 (8)自带斜坡发生器。 (9)具有防静电保护功能。 (10)具有环境温度范围为-40~85的产品系列。 (11)具有MSOP-8型封装形式。 2.
  • 1. TPS2390主要性能 (1)工作电压范围为-80~-36V。 (2)瞬态率可达-100V。 (3)具有可控的限流门限和电流慢变化率功能。 (4)具有使能控制输入端。 (5)具有故障定时器功能,可消除由于噪声引起的误报率。 (6)具有漏极开路输出式的故障检测输出端。 (7)构成应用电路时,外部仅需很少的几个元器件。 (8)自带斜坡发生器。 (9)具有防静电保护功能。 (10)具有环境温度范围为-40~85的产品系列。 (11)具有MSOP-8型封装形式。 2. >>
  • 来源:www.highsemi.com/sheji/221.html
  • 2.2.1 PIC16F684功能介绍 控制系统电路中的MCU(微控制器)选用了PIC系列中档单片机PIC16F684。 PIC系列8位CMOS单片机具有实用、低价、易学、省电、高速和体积小等特点,特别时期独特的RISC(精简指令集)结构,及独立分开的数据总线和指令总线的哈佛总线(Harvard)结构,使指令具有单字长的特性,且允许指令码的位数可多于8位的数据位数,这与传统的采用CISC结构和冯诺依曼结构的8位单片机相比,可以达到2:1的代码压缩和4:1的速度提高。 PIC16F684属于Microchi
  • 2.2.1 PIC16F684功能介绍 控制系统电路中的MCU(微控制器)选用了PIC系列中档单片机PIC16F684。 PIC系列8位CMOS单片机具有实用、低价、易学、省电、高速和体积小等特点,特别时期独特的RISC(精简指令集)结构,及独立分开的数据总线和指令总线的哈佛总线(Harvard)结构,使指令具有单字长的特性,且允许指令码的位数可多于8位的数据位数,这与传统的采用CISC结构和冯诺依曼结构的8位单片机相比,可以达到2:1的代码压缩和4:1的速度提高。 PIC16F684属于Microchi >>
  • 来源:www.whjing.com/news/265-cn.html
  • 一、驱动电路概述 驱动电路又称为激励电路,它是主电路与控制电路之间的接口,它的主要作用体现在: (1)使功率开关管工作在较理想的开关状态,缩短开关时间,减小开关损耗,对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。 (2)对功率开关管或整个装置的一些保护措施也往往设在驱动电路中,或通过驱动电路实现。 驱动电路的基本任务将控制电路传来的信号按控制目标的要求,转换为加在功率开关管的控制端和公共端之间,可以使其开通或关断的信号,保证功率开关管在该关断的时候关断,并在整个关断期间维持关断;在该开通的时候迅速开通,
  • 一、驱动电路概述 驱动电路又称为激励电路,它是主电路与控制电路之间的接口,它的主要作用体现在: (1)使功率开关管工作在较理想的开关状态,缩短开关时间,减小开关损耗,对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。 (2)对功率开关管或整个装置的一些保护措施也往往设在驱动电路中,或通过驱动电路实现。 驱动电路的基本任务将控制电路传来的信号按控制目标的要求,转换为加在功率开关管的控制端和公共端之间,可以使其开通或关断的信号,保证功率开关管在该关断的时候关断,并在整个关断期间维持关断;在该开通的时候迅速开通, >>
  • 来源:www.highsemi.com/yuanli/65.html
  • 放置电阻:在绘制电路的过程中,电阻、电容、非门、或门等元器件的使用频率是非常频繁 。在实用工具栏中,这些经常使用到的元件以工具组的形式显示在绘图窗口中,从而方便用户快速的绘图。 知识链接:数字式设备工具组的介绍 该工具组如图1.2.62所示。共包含1K电阻、4.7K电阻 、10K电阻、100K电阻、0.
  • 放置电阻:在绘制电路的过程中,电阻、电容、非门、或门等元器件的使用频率是非常频繁 。在实用工具栏中,这些经常使用到的元件以工具组的形式显示在绘图窗口中,从而方便用户快速的绘图。 知识链接:数字式设备工具组的介绍 该工具组如图1.2.62所示。共包含1K电阻、4.7K电阻 、10K电阻、100K电阻、0. >>
  • 来源:sh.qihoo.com/pc/2s1cnsjl51n?sign=360_e39369d1
  • 今日水电隐蔽工程验收,本次为第五次服务。 现场人员:客户,项目经理,水电工,监理 施工进度:水电完成,进度正常 检查如下:隐患项复检(未整改) 强电箱配置正确,冰箱线路已前置,方便长时间出门总保断电的情况下冰箱的正常工作。线槽横平竖直,无长距离横向开槽,走向正确,符合规范。强弱电间距合理,无强弱电同槽造成干扰现象,线管内穿线数符合规范,线盒底座同水平无异态,锁扣安装牢固。弱电箱配置正确。水管焊接牢固,走向正确,冷热水管间距合理符合规范,水压测试正常。 隐患提醒项如下: 1:隐患项复检(已整改) 2:门洞无
  • 今日水电隐蔽工程验收,本次为第五次服务。 现场人员:客户,项目经理,水电工,监理 施工进度:水电完成,进度正常 检查如下:隐患项复检(未整改) 强电箱配置正确,冰箱线路已前置,方便长时间出门总保断电的情况下冰箱的正常工作。线槽横平竖直,无长距离横向开槽,走向正确,符合规范。强弱电间距合理,无强弱电同槽造成干扰现象,线管内穿线数符合规范,线盒底座同水平无异态,锁扣安装牢固。弱电箱配置正确。水管焊接牢固,走向正确,冷热水管间距合理符合规范,水压测试正常。 隐患提醒项如下: 1:隐患项复检(已整改) 2:门洞无 >>
  • 来源:www.zhuangxiaomi.com/live_117841.html
  • 今日做原房检查,检查项如下:梁体无今日做原房检查,检查项如下:梁体无裂纹,原墙面部分空鼓,平整度符合规范,阴阳角整齐流畅。顶面平整无异态。强弱电箱配置完整无异态。给排水管道正常无异态,煤气管道配置正常。门窗开启灵活,窗台无渗漏迹象。 隐患提醒项如下: 1:墙地面空鼓计:客餐厅地面计五处,墙四处; 主卧墙四处; 南次卧地两,墙四; 厨房墙三; 北阳台墙一; 卫生间墙一; 次卧地一,墙三; 书房墙一; 主卫地一墙一。 以上问题建议铲除至红砖重做粉刷,特别是厨卫铺贴瓷砖墙面必须修复到位,不然对后期瓷砖的空鼓产生
  • 今日做原房检查,检查项如下:梁体无今日做原房检查,检查项如下:梁体无裂纹,原墙面部分空鼓,平整度符合规范,阴阳角整齐流畅。顶面平整无异态。强弱电箱配置完整无异态。给排水管道正常无异态,煤气管道配置正常。门窗开启灵活,窗台无渗漏迹象。 隐患提醒项如下: 1:墙地面空鼓计:客餐厅地面计五处,墙四处; 主卧墙四处; 南次卧地两,墙四; 厨房墙三; 北阳台墙一; 卫生间墙一; 次卧地一,墙三; 书房墙一; 主卫地一墙一。 以上问题建议铲除至红砖重做粉刷,特别是厨卫铺贴瓷砖墙面必须修复到位,不然对后期瓷砖的空鼓产生 >>
  • 来源:www.zhuangxiaomi.com/live_120396.html
  • 1.1 课题背景 采用Zigbee协议形成的多跳自组织网络,由分布在监测区域内中的大量的廉价传感器组成,使用这些传感器监测物理和环境信息。现在的无线传感器网络可以进行双向通信,使得人们可以控制传感器的状态和活动。在所有的定位实现中,室内空间由于其环境的复杂性,一直是定位系统实现的一个难点。现今,成熟的室内定位系统仍然比较少、而且多存在成本偏高的缺陷,不利于大范围广泛应用。本设计利用ZigBee技术低功耗、高性能和低成本的特性,实现一种低复杂度、定位精度较高的室内定位系统。 1.
  • 1.1 课题背景 采用Zigbee协议形成的多跳自组织网络,由分布在监测区域内中的大量的廉价传感器组成,使用这些传感器监测物理和环境信息。现在的无线传感器网络可以进行双向通信,使得人们可以控制传感器的状态和活动。在所有的定位实现中,室内空间由于其环境的复杂性,一直是定位系统实现的一个难点。现今,成熟的室内定位系统仍然比较少、而且多存在成本偏高的缺陷,不利于大范围广泛应用。本设计利用ZigBee技术低功耗、高性能和低成本的特性,实现一种低复杂度、定位精度较高的室内定位系统。 1. >>
  • 来源:www.tiaozhanbei.net/project/2575/
  • 每个两电平功率单元由整流桥、稳压电路、igct逆变桥组成,稳压电路接入igct逆变桥输入端,电阻rc与二极管ds串联,两端与电感lc并联,在电阻rc与二极管ds之间接有电容器cc,电容器cc另一端接电容器cd;电容器cd另端接电感lc与电阻rc的输入端。igct逆变桥由四个由igct器件与二极管dr组成的反并联单元构成。 对于6kv变频器,移相变压器二次侧电压1750v,功率单元直流侧电压2500v,每相2个功率单元串联,功率部分只需6个功率单元。移相变压器共6个副边绕组。 这样,每个功率单元输出的最高
  • 每个两电平功率单元由整流桥、稳压电路、igct逆变桥组成,稳压电路接入igct逆变桥输入端,电阻rc与二极管ds串联,两端与电感lc并联,在电阻rc与二极管ds之间接有电容器cc,电容器cc另一端接电容器cd;电容器cd另端接电感lc与电阻rc的输入端。igct逆变桥由四个由igct器件与二极管dr组成的反并联单元构成。 对于6kv变频器,移相变压器二次侧电压1750v,功率单元直流侧电压2500v,每相2个功率单元串联,功率部分只需6个功率单元。移相变压器共6个副边绕组。 这样,每个功率单元输出的最高 >>
  • 来源:e.pinnace.cn/46441.shtml
  •   摘要:本发明涉及一种大功率MOSFET驱动方法,TTL式的MOSFET驱动信号,光电隔离器U1的输入单元,输入到比较器U2的负端,信号经比较后,再经限流电阻R5,输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上,Q1与Q2的射极输出相联,然后经限流保护电阻R6,再驱动大功率MOSFET,注意,大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接,形成驱动电流回路,本发明具有驱动能力大,电气完全隔离,可驱动一个或是数十个到百个大功率MOSFET同时并联工作,性能稳定可靠,尤其是在精密大电流闭环场合,更能发挥其控制优势。
  •   摘要:本发明涉及一种大功率MOSFET驱动方法,TTL式的MOSFET驱动信号,光电隔离器U1的输入单元,输入到比较器U2的负端,信号经比较后,再经限流电阻R5,输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上,Q1与Q2的射极输出相联,然后经限流保护电阻R6,再驱动大功率MOSFET,注意,大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接,形成驱动电流回路,本发明具有驱动能力大,电气完全隔离,可驱动一个或是数十个到百个大功率MOSFET同时并联工作,性能稳定可靠,尤其是在精密大电流闭环场合,更能发挥其控制优势。 >>
  • 来源:www.caigou.com.cn/patent/cn103151907a.shtml
  • ZC6N07是一款专为大功率0.5W/1W/3WLED照明装置设计的专用集成电路。仅需少量外围元件即可完成驱动LED灯的功能。 该控制器具有高转换效率,低启动电压:0.8V(最小值);可调输出电流等特点。 工作电压: 0.8V-4V工作电压 输出电流: 100mA-500mA >80%的效率 SOT-23封装 通过调节L1电感值,可调节LED灯的亮度。电感最小值: 4.
  • ZC6N07是一款专为大功率0.5W/1W/3WLED照明装置设计的专用集成电路。仅需少量外围元件即可完成驱动LED灯的功能。 该控制器具有高转换效率,低启动电压:0.8V(最小值);可调输出电流等特点。 工作电压: 0.8V-4V工作电压 输出电流: 100mA-500mA >80%的效率 SOT-23封装 通过调节L1电感值,可调节LED灯的亮度。电感最小值: 4. >>
  • 来源:www.cps800.com/products/62092.htm
  •   IGBT的正面MOS结构包括栅极与发射极区。栅极结构有平面栅(图4(a))与沟槽栅(图4(b))两种。平面栅结构具有较好的栅氧化层质量,其栅电容较小,并且不会在栅极下方处造成电场集中而影响耐压,在高压IGBT(3300V及以上电压等级)中被普遍采用。平面栅结构经过优化改进,可以进一步降低栅电容同时改进其他的工作特性,如降低栅存储时间,降低开关损耗,还能减小短路安全工作区(SCSOA)测试中的栅电压过冲[16]。而沟槽栅结构将沟道从横向变为纵向,消除了导通电阻中RJFET的影响,还可以提高元胞密度,从而
  •   IGBT的正面MOS结构包括栅极与发射极区。栅极结构有平面栅(图4(a))与沟槽栅(图4(b))两种。平面栅结构具有较好的栅氧化层质量,其栅电容较小,并且不会在栅极下方处造成电场集中而影响耐压,在高压IGBT(3300V及以上电压等级)中被普遍采用。平面栅结构经过优化改进,可以进一步降低栅电容同时改进其他的工作特性,如降低栅存储时间,降低开关损耗,还能减小短路安全工作区(SCSOA)测试中的栅电压过冲[16]。而沟槽栅结构将沟道从横向变为纵向,消除了导通电阻中RJFET的影响,还可以提高元胞密度,从而 >>
  • 来源:news.crjwz.com/qushi/42952_2.html
  • 作者:王映波 袁尚志 鲍丰  摘 要:简要介绍了光纤在大功率IGBT驱动电路中的典型应用,以及光电器件的选型。 关键词:1GBT;光纤驱动;应用 引言 自MOSFET及IGBT问世以来,电压控制型电力电子器件,特别是IGBT正经历一个飞速发展的过程。IGBT单模块器件的电压越做越高,电流越做越大。同时,与之配套的驱动器件也得到了迅速发展。随着器件应用领域越来越广,电源设备变换功率越来越大,电磁T扰也相应增强。为此必须提高控制板的抗干扰能力,提高驱动耐压等级。于是,光纤的使用也就成为了必然。 1 ICBT驱
  • 作者:王映波 袁尚志 鲍丰  摘 要:简要介绍了光纤在大功率IGBT驱动电路中的典型应用,以及光电器件的选型。 关键词:1GBT;光纤驱动;应用 引言 自MOSFET及IGBT问世以来,电压控制型电力电子器件,特别是IGBT正经历一个飞速发展的过程。IGBT单模块器件的电压越做越高,电流越做越大。同时,与之配套的驱动器件也得到了迅速发展。随着器件应用领域越来越广,电源设备变换功率越来越大,电磁T扰也相应增强。为此必须提高控制板的抗干扰能力,提高驱动耐压等级。于是,光纤的使用也就成为了必然。 1 ICBT驱 >>
  • 来源:www.laogu.com/cms/xw_54851.htm