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电源设计小贴士 14:sepic

图1 多输出 SEPIC 转换器 图 1 所示电路已经构建完成,并经过测试。分别将其作为带 C1 的 SEPIC 和没有 C1 的反向转换器运行。图 2 显示了两种运行模式下的 MOSFET 电压应力。在反向模式下,MOSFET 漏极约为 40V,而在 SEPIC 模式下漏电压仅为 25V。因此,反向设计不得不使用一个 40-V 或 60-V MOSFET,而 SEPIC 设计只需使用一个额定值仅为 30V 的 MOSFET。另外,就 EMI 滤波而言,高频率(5 MHz 以上)振铃将是一个严重的问题。
 
图1 多输出 SEPIC 转换器 图 1 所示电路已经构建完成,并经过测试。分别将其作为带 C1 的 SEPIC 和没有 C1 的反向转换器运行。图 2 显示了两种运行模式下的 MOSFET 电压应力。在反向模式下,MOSFET 漏极约为 40V,而在 SEPIC 模式下漏电压仅为 25V。因此,反向设计不得不使用一个 40-V 或 60-V MOSFET,而 SEPIC 设计只需使用一个额定值仅为 30V 的 MOSFET。另外,就 EMI 滤波而言,高频率(5 MHz 以上)振铃将是一个严重的问题。 | 宽500x318高 | 显示比例:100% | 查看原图 | 图片来源:ti.eetop.cn
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