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cmos射频功率放大器的设计方法

,用传统的负载线匹配方法往往达不到设计指标,此时必须兼顾管子的饱和区与线性区,得到最佳负载阻抗值。如何通过理论与实践相结合的方法,取得预期的结果,仍然是亟待解决的难题之一。另外,深亚微米CMOS管的击穿电压很低,输出电压摆幅不能过大,使得在同等输出功率条件下实现相同性能指标功放的难度增大。最后,深亚微米CMOS硅衬底阻值比较低,一般在0.
 
,用传统的负载线匹配方法往往达不到设计指标,此时必须兼顾管子的饱和区与线性区,得到最佳负载阻抗值。如何通过理论与实践相结合的方法,取得预期的结果,仍然是亟待解决的难题之一。另外,深亚微米CMOS管的击穿电压很低,输出电压摆幅不能过大,使得在同等输出功率条件下实现相同性能指标功放的难度增大。最后,深亚微米CMOS硅衬底阻值比较低,一般在0. | 宽587x279高 | 显示比例:100% | 查看原图 | 图片来源:www.chinaaet.com
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