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三极管igbt驱动电路图

前面都讲了一些计算的东西,这次总结一些设计法则。 栅极电阻:其目的是改善控制脉冲上升沿和下降沿的斜率,并且防止寄生电感与电容振荡,限制IGBT集电极电压的尖脉冲值。 栅极电阻值小充放电较快,能减小开关时间和开关损耗,增强工作的耐固性,避免带来因dv/dt的误导通。缺点是电路中存在杂散电感在IGBT上产生大的电压尖峰,使得栅极承受噪声能力小,易产生寄生振荡。 栅极电阻值大充放电较慢,开关时间和开关损耗增大。
 
前面都讲了一些计算的东西,这次总结一些设计法则。 栅极电阻:其目的是改善控制脉冲上升沿和下降沿的斜率,并且防止寄生电感与电容振荡,限制IGBT集电极电压的尖脉冲值。 栅极电阻值小充放电较快,能减小开关时间和开关损耗,增强工作的耐固性,避免带来因dv/dt的误导通。缺点是电路中存在杂散电感在IGBT上产生大的电压尖峰,使得栅极承受噪声能力小,易产生寄生振荡。 栅极电阻值大充放电较慢,开关时间和开关损耗增大。 | 宽640x375高 | 显示比例:100% | 查看原图 | 图片来源:www.acdianyuan.com
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