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sic模块的特征与电路构成

模块内置的功率半导体元件全部由SiC构成,与Si(硅)材质的IGBT模块相比,可大幅降低开关损耗。 内置SiC-SBD、SiC-MOSFET,与传统的Si-IGBT相比,在100KHz以上的高频环境下工作成为可能。 4.1 SiC 模块的特征 现在,针对大电流的功率模块中广泛应用的主要是由Si 的IGBT 和FRD 组成的IGBT 模块。ROHM在世界上首次开始推出搭载了SiCMOSFET 和SiCSBD 的功率模块。由IGBT 的尾电流和FRD 的恢复电流引起的较大的开关损耗,通过切换为SiC 功率模
 
模块内置的功率半导体元件全部由SiC构成,与Si(硅)材质的IGBT模块相比,可大幅降低开关损耗。 内置SiC-SBD、SiC-MOSFET,与传统的Si-IGBT相比,在100KHz以上的高频环境下工作成为可能。 4.1 SiC 模块的特征 现在,针对大电流的功率模块中广泛应用的主要是由Si 的IGBT 和FRD 组成的IGBT 模块。ROHM在世界上首次开始推出搭载了SiCMOSFET 和SiCSBD 的功率模块。由IGBT 的尾电流和FRD 的恢复电流引起的较大的开关损耗,通过切换为SiC 功率模 | 宽419x468高 | 显示比例:100% | 查看原图 | 图片来源:www.igbt8.com
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