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正弦波同步移相触发电路实验;

一、设计思想 现在目前市面上的电力电子实验装置,都是根据70-80年代的器件和线路设计,近年来电力电子的技术得到了突飞猛进的发展,如常规的可控硅、GTR、GTO等器件都基本退出应用领域,,以功率MOSFET等自关断全控型第二代电力电子器 件和绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的第三代电力电子器件,逐步取代第一代产品,大容量的第三代绝缘栅型双极性晶体管IGBT,因其具有电压型控制,输入阻抗大、驱动功率小,开关损耗低及工作频率高等特点,其有着广阔的发展前景。第四代是以PIC、HVIC等功能集成电路为代表的器件
 
一、设计思想 现在目前市面上的电力电子实验装置,都是根据70-80年代的器件和线路设计,近年来电力电子的技术得到了突飞猛进的发展,如常规的可控硅、GTR、GTO等器件都基本退出应用领域,,以功率MOSFET等自关断全控型第二代电力电子器 件和绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的第三代电力电子器件,逐步取代第一代产品,大容量的第三代绝缘栅型双极性晶体管IGBT,因其具有电压型控制,输入阻抗大、驱动功率小,开关损耗低及工作频率高等特点,其有着广阔的发展前景。第四代是以PIC、HVIC等功能集成电路为代表的器件 | 宽472x402高 | 显示比例:100% | 查看原图 | 图片来源:www.shfcjx.com
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