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单结晶体管构成弛张振荡电路图

单结晶体管构成的弛张振荡电路如图(a)所示。设电容器的初始电压为0。接通电源后电源通过电阻R 向电容充电,单结晶体管内部的UA决定于电源电压E(即Ubb)和器件的伏安特性,峰点与谷点也由此而确定。电容电压UC依指数规律上升,在发射极电压达到峰点之前,发射极电流很小,由于流过R1的电流很小,其两端的电压可以忽略。当电压上升的峰点,UC=UP 时,单结晶体管进入负阻区,内部的二极管导通,电容通过导通着的二极管、R1放电,放电电流呈指数规律衰减,该电流经过R1产生压降。此时通过R1的电流由两部分组成,其一是电容
 
单结晶体管构成的弛张振荡电路如图(a)所示。设电容器的初始电压为0。接通电源后电源通过电阻R 向电容充电,单结晶体管内部的UA决定于电源电压E(即Ubb)和器件的伏安特性,峰点与谷点也由此而确定。电容电压UC依指数规律上升,在发射极电压达到峰点之前,发射极电流很小,由于流过R1的电流很小,其两端的电压可以忽略。当电压上升的峰点,UC=UP 时,单结晶体管进入负阻区,内部的二极管导通,电容通过导通着的二极管、R1放电,放电电流呈指数规律衰减,该电流经过R1产生压降。此时通过R1的电流由两部分组成,其一是电容 | 宽380x264高 | 显示比例:100% | 查看原图 | 图片来源:ic72.com
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