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浅析高频电路设计中铜箔对于电气性能的影响

图4、TSM-DS3搭配不同类型铜箔的插入损耗对比(50ohm微带线) 在高频设计中,传输线路插入损耗的降低,对于提升产品增益与功率效有着积极的意义。本文以TACONIC低损耗材料TSM-DS3(Dk 3.0, Df: 0.0011@10GHz)为介质,搭配不同类型的铜箔,对50ohm微带线进行插入损耗的测试表明(如图3所示),随着频率的增加,选用ULP铜箔对于降低线路的插入损耗有着极大的帮助,在45GHz下测试的TSM-DS3搭配ULP铜箔的插损为-0.
 
图4、TSM-DS3搭配不同类型铜箔的插入损耗对比(50ohm微带线) 在高频设计中,传输线路插入损耗的降低,对于提升产品增益与功率效有着积极的意义。本文以TACONIC低损耗材料TSM-DS3(Dk 3.0, Df: 0.0011@10GHz)为介质,搭配不同类型的铜箔,对50ohm微带线进行插入损耗的测试表明(如图3所示),随着频率的增加,选用ULP铜箔对于降低线路的插入损耗有着极大的帮助,在45GHz下测试的TSM-DS3搭配ULP铜箔的插损为-0. | 宽600x334高 | 显示比例:100% | 查看原图 | 图片来源:www.mwrf.net
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