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二极管桥接整流电路

SOIC-8 (DDA) 以及 SON-8 (DRM) 封装。  特性 指定温度范围为 -40 °C 至 140 °C; 驱动高侧/低侧配置中的两个 N 通道 MOSFET; 最高引导电压为 120 V; 最高 VDD 电压为 20 V; 片上 0.65 V VF、0.6RD 自举二极管; 工作频率超过 1 MHz; 传输延迟时间为 20 ns; 3 A 输入/3 A 输出电流; 负载为 1000 pF 时,升/降时间分别为 8 ns/7 ns; 延迟匹配为 1 ns; 为高侧与低侧驱
 
SOIC-8 (DDA) 以及 SON-8 (DRM) 封装。 特性 指定温度范围为 -40 °C 至 140 °C; 驱动高侧/低侧配置中的两个 N 通道 MOSFET; 最高引导电压为 120 V; 最高 VDD 电压为 20 V; 片上 0.65 V VF、0.6RD 自举二极管; 工作频率超过 1 MHz; 传输延迟时间为 20 ns; 3 A 输入/3 A 输出电流; 负载为 1000 pF 时,升/降时间分别为 8 ns/7 ns; 延迟匹配为 1 ns; 为高侧与低侧驱 | 宽450x257高 | 显示比例:100% | 查看原图 | 图片来源:www.eaw.com.cn
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